[發明專利]化學機械研磨后的晶片清洗方法無效
| 申請號： | 200910052540.3 | 申請日： | 2009-06-04 |
| 公開（公告）號： | CN101905221A | 公開（公告）日： | 2010-12-08 |
| 發明（設計）人： | 黃孝鵬 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | B08B3/08 | 分類號： | B08B3/08;B08B7/04;B08B1/04;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 20120*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 化學 機械 研磨 晶片 清洗 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種化學機械研磨后的晶片清洗方法，包括：
提供一化學機械研磨后的晶片；
使用濃度為0.4％至0.8％的化學清洗液清洗所述晶片。
2.如權利要求1所述的化學機械研磨后的晶片清洗方法，其特征在于，所述化學清洗液為檸檬酸溶液。
3.如權利要求1所述的化學機械研磨后的晶片清洗方法，其特征在于，使用所述化學清洗液清洗所述晶片的時間為10秒至100秒。
4.如權利要求1所述的化學機械研磨后的晶片清洗方法，其特征在于，使用所述化學清洗液清洗所述晶片的同時使用毛刷擦洗所述晶片。
5.如權利要求4所述的化學機械研磨后的晶片清洗方法，其特征在于，所述毛刷的轉速為300轉每分鐘至500轉每分鐘。
6.如權利要求1所述的化學機械研磨后的晶片清洗方法，其特征在于，使用所述化學清洗液清洗所述晶片之后，還包括：使用去離子水沖洗所述晶片并甩干的步驟。
7.如權利要求1所述的化學機械研磨后的晶片清洗方法，其特征在于，所述化學機械研磨是銅制程化學機械研磨。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中芯國際集成電路制造(上海)有限公司，未經中芯國際集成電路制造(上海)有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910052540.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：球墨鑄鐵基剎車盤制備工藝
- 下一篇：臥式螺旋卸料沉降離心機轉鼓
