[發明專利]柱狀納米加熱電極的制備方法有效
| 申請號： | 200910052406.3 | 申請日： | 2009-06-02 |
| 公開（公告）號： | CN101572290A | 公開（公告）日： | 2009-11-04 |
| 發明（設計）人： | 馮高明;宋志棠;劉波;封松林;萬旭東;吳關平 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;G03F1/14 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 200050*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 柱狀 納米 加熱 電極 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.柱狀納米加熱電極的制備方法，其特征在于，該方法具體包括以下步驟：
(a)在襯底上沉積一層薄膜；
(b)在步驟(a)獲得的結構上利用亞微米CMOS標準工藝曝光技術制備出直徑為200nm～300nm的光刻膠圖形；
(c)利用反應離子刻蝕技術中O2氣體修整光刻膠的形貌，將光刻膠圖形尺寸縮小到直徑為40nm～100nm，刻蝕功率為500W～1000W，刻蝕氣壓為10mTorr～100mTorr，O2流量為500sccm～2000sccm，刻蝕速率約為500nm/min～800nm/min；
(d)利用等離子刻蝕的技術刻蝕薄膜形成柱狀納米加熱電極；
(e)最后清洗光刻膠，得到柱狀納米加熱電極。
2.如權利要求1所述的柱狀納米加熱電極的制備方法，其特征在于：步驟(a)中薄膜的材料為TiN、W、Ti、TiN/SiO2、TiN/SiNx中的一種。
3.如權利要求2所述的柱狀納米加熱電極的制備方法，其特征在于：步驟(c)中利用反應離子刻蝕技術中O2氣體修整光刻膠掩膜的圖形，將光刻膠圖形尺寸縮小到直徑為40nm～100nm。
4.如權利要求1所述的柱狀納米加熱電極的制備方法，其特征在于：所述襯底的材料為Al、Cu、Ti、TiN、W、Ta、TaN金屬導電材料中的一種。
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