[發明專利]X射線傳感器及其制造方法和驅動方法

無效

• 申請號: 200910052212.3
• 申請日: 2009-05-25
• 公開（公告）號: CN101900825A
• 公開（公告）日: 2010-12-01
• 發明（設計）人: 邱承彬;于祥國;孔杰;李懿馨;金利波
• 申請（專利權）人: 上海天馬微電子有限公司
• 主分類號: G01T1/24
• 分類號: G01T1/24;H01L21/82
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種X射線傳感器，其特征在于，包括：

交叉排列的掃描線和數據線，

掃描線和數據線分隔出的像素單元陣列，

與數據線連接的數據驅動電路，

與掃描線連接的掃描驅動電路；其中，

所述像素單元陣列中，每行所述像素單元與至少兩條掃描線相連，而至少兩列像素單元共用一條所述數據線，所述像素單元包括光電感應元件和開關元件。

2.根據權利要求1所述的X射線傳感器，其特征在于，所述至少兩列像素單元依次相鄰。

3.根據權利要求2所述的X射線傳感器，其特征在于，所述每行像素單元中位于奇數列的所述像素單元的輸入端均連接一條所述掃描線，所述每行像素單元中位于偶數列的所述像素單元的輸入端均連接另一條所述掃描線，所述相鄰的兩列像素單元的輸出端與同一條數據線相連。

4.根據權利要求2所述的X射線傳感器，其特征在于，所述每一行像素單元分為三組，則第一組像素單元的輸入端均連接第一掃描線，第二組像素單元的輸入端均連接第二掃描線，第三組像素單元的輸入端均連接第三掃描線，相鄰的三列像素單元的輸出端與同一條數據線相連。

5.根據權利要求1至4任一項所述的X射線傳感器，其特征在于，所述像素單元的一端連接公共電極，另外一端通過所述開關元件連接到所述數據線。

6.根據權利要求1至4任一項所述的X射線傳感器，其特征在于，所述光電感應元件包括光電二極管，所述光電二極管的輸出端通過所述開關元件與所述數據線相連。

7.根據權利要求5所述的X射線傳感器，其特征在于，所述開關元件包括場效應晶體管，所述場效應晶體管的源極連接所述光電感應元件輸出端，漏極連接所述數據線，柵極連接所述掃描線。

8.一種如權利要求1所述的X射線傳感器的驅動方法，其特征在于，包括：

所述掃描驅動電路通過隔行掃描的方式對連接每行像素單元的至少兩條掃描線分別輸入掃描信號，

根據所述掃描信號控制像素單元的開關狀態，

采集處于開通狀態的像素單元的光電信號。

9.一種X射線傳感器的制造方法，所述X傳感器具有多個像素單元組成的陣列，所述像素單元包括光電感應元件區和開關元件區，其特征在于，所述制造方法包括以下步驟：

在襯底上形成柵層，所述柵層包括：與每一行像素單元相連的至少兩條掃描線，以及，與所述掃描線連接的位于開關元件區的柵極；

在所述柵層上覆蓋柵介質層；

在所述開關元件區的柵介質層上形成有源層，所述有源層的位置與所述柵極對應；

形成源漏層，所述源漏層包括：所述有源層上的源極和漏極，以及，與所述源極連接的數據線；在所述光電感應元件區的柵介質層上形成光電感應元件的下電極導電層；

在所述下電極導電層上形成光電轉換層；

在整個襯底暴露的表面上覆蓋鈍化層，在位于所述光電感應元件區的鈍化層中形成開口，以暴露所述光電轉換層；

在所述光電轉換層上形成光電感應元件的上電極導電層。

10.根據權利要求9所述的X射線傳感器的制造方法，其特征在于，所述柵層還包括焊墊層，所述形成柵介質層后還包括以下步驟：

在所述焊墊層上的柵介質層中形成過孔，以暴露出所述焊墊層。

11.根據權利要求9所述的X射線傳感器的制造方法，其特征在于，在所述下電極導電層上形成光電轉換層之后還包括以下步驟：

在所述光電轉換層上形成透明掩蔽層。

12.根據權利要求11所述的X射線傳感器的制造方法，其特征在于，所述透明掩蔽層的材料為透明導電氧化物。

13.根據權利要求12所述的X射線傳感器的制造方法，其特征在于，所述透明導電氧化物為氧化銦錫或氧化銦鋅。

14.根據權利要求9所述的X射線傳感器的制造方法，其特征在于，在整個襯底暴露的表面上覆蓋鈍化層之后還包括以下步驟：在所述鈍化層上形成公共電極層。

15.根據權利要求14所述的X射線傳感器的制造方法，其特征在于，所述公共電極層與所述上電極導電層在同一制程中形成，且為同種材料。