[發明專利]氧化物緩沖層及其制備方法無效
| 申請號： | 200910052051.8 | 申請日： | 2009-05-26 |
| 公開（公告）號： | CN101562065A | 公開（公告）日： | 2009-10-21 |
| 發明（設計）人： | 范峰;魯玉明;周文謙;劉志勇;蔡傳兵 | 申請（專利權）人： | 上海大學 |
| 主分類號： | H01B12/04 | 分類號： | H01B12/04;H01B13/00;C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海上大專利事務所（普通合伙） | 代理人： | 顧勇華 |
| 地址： | 200444*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化物 緩沖 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種氧化物緩沖層，其特征在于該緩沖層的化學式為YxCe1-xO2-0.5x，其中，0.2≤x≤0.8。
2.一種權利要求1所述的氧化物緩沖層的制備方法，其特征在于該方法具有以下的步驟：
a.金屬靶材的制備：選取純度重量百分比在99.999％以上的釔、鈰金屬粉料為原料，按照化學式YxCe1-xO2-0.5x，0.2≤x≤0.8，配比釔、鈰元素的原子個數，通過拼接、鑲嵌方法制得具有區域組份性質的金屬靶材；
b.金屬基底的清洗和固定：依序通過丙酮溶液、酒精溶液對金屬基底進行超聲波清洗，以除去粘附在金屬基底表面的油污；將洗凈的金屬基底固定在直流反應濺射腔體內；
c.氣路清洗：對直流反應濺射腔體的氣路進行清洗，以出去氣路中殘留的氣體和混入的空氣；
d.直流反應濺射腔體的氣壓調制：對直流反應濺射腔體抽真空，直至背底真空達到10-5Pa或以下；通入體積比為Ar∶H2＝19∶1的混合氣體，氬氣和氫氣的純度體積百分比均在99.999％以上，直至直流反應濺射腔體壓強達到1～10Pa；
e.預濺射：將直流反應濺射腔體升溫至850℃，打開直流濺射電源進行預濺射，調整功率至50～250W，進行預濺射，時間20～120min；
f.正式濺射：打開水汽氣路，調節水分壓至5×10-3～5×10-2Pa，正式濺射，最終得到YxCe1-xO2-0.5x氧化物緩沖層。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海大學，未經上海大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910052051.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
