[發明專利]晶舟有效
| 申請號: | 200910051563.2 | 申請日: | 2009-05-19 |
| 公開(公告)號: | CN101556931A | 公開(公告)日: | 2009-10-14 |
| 發明(設計)人: | 周維文;顏明輝 | 申請(專利權)人: | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;H01L21/683 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所 | 代理人: | 鄭 瑋 |
| 地址: | 201203上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶舟 | ||
技術領域
本發明涉及半導體制造領域,特別涉及一種用于生產晶圓的晶舟。
背景技術
隨著科技的進步,半導體電子產品已經應用到社會生活的各個領域,而這 些半導體電子產品都具有半導體晶片,由此可見,半導體晶片在當今生活中具 有非常顯著的重要性。
在半導體晶片的制造過程中,爐管是一個不可缺少的設備,例如其中利用 爐管的擴散制程就是一個基本制程,擴散制程中,是先將多片晶圓放置在一晶 舟上,再將晶舟放置在爐管內進行批次制造。對于半導體晶片而言,同一期間 內在一臺設備制造出的晶片的質量和數量,很大程度影響到半導體晶片的出產 的良品率和制造成本。
然而,現有技術中,在制造半導體晶片的工藝流程中,有很多因素可能導 致半導體晶片的生產出現問題。請參見圖1A,例如當把多片晶圓110插入到晶 舟100的晶圓槽120時,由于晶圓110與晶圓槽120之間有摩擦,會產生微小 的顆粒130,晶舟豎直放置,由于重力的作用,當抽取晶圓110時,晶圓110與 晶圓槽120摩擦產生的顆粒130,會掉落到下面的晶圓110上,這就會導致微小 的顆粒130污染晶圓110的表面,請參見圖1B,其所示為受到顆粒130污染的 晶圓110,進而會導致后續的制造工序不能正常進行,影響產品的良品率、增加 制造成本。
發明內容
本發明旨在解決現有技術中,晶圓放置在晶舟中,由于摩擦產生的微小顆 粒造成晶圓的污染的技術問題。
有鑒于此,本發明提供一種晶舟,包括:多個晶圓槽,分別包括多個支撐 部,用于支撐晶圓;所述支撐部,包括:第一支撐塊;以及第二支撐塊;其中 所述第二支撐塊設置于所述第一支撐塊上,且小于所述第一支撐塊。
進一步的,所述第二支撐塊與所述第一支撐塊位于所述第一支撐塊的上支 撐面內。
進一步的,所述多個晶圓槽相互平行設置且間隔相同。
本發明所提供的晶舟可在不影響晶圓制程均勻度、不減少晶舟放置晶圓數 量的前提下,避免晶圓與晶舟摩擦產生的微小顆粒污染晶圓,保證晶圓的潔凈 度,進一步保證了后續工藝設備的正常運作,確保了產品的良品率,降低了制 造成本。
附圖說明
圖1A所示為現有技術中所使用的晶舟導致灰塵顆粒污染晶圓的示意圖;
圖1B所示為受到顆粒污染的晶圓的示意圖;
圖2所示為本發明一實施例提供的晶舟的示意圖;
圖3所示為本發明一實施例提供的晶舟的支撐部的示意圖。
具體實施方式
為使本發明的目的、特征更明顯易懂,給出較佳實施例并結合附圖,對本 發明作進一步說明。
請參加圖2,其所示為本發明一實施例提供的晶舟的示意圖。該晶舟200, 包括:多個晶圓槽210,分別包括多個支撐部220,用于支撐晶圓;所述支撐部 220,包括:第一支撐塊222;以及第二支撐塊221;其中所述第二支撐塊221 設置于所述第一支撐塊222上,且小于所述第一支撐塊222。
在本實施例中,當把多片晶圓插入到晶舟200的晶圓槽210時,由于晶圓 與晶圓槽210之間有摩擦,會產生微小的顆粒,晶舟豎直放置,由于重力的作 用,當抽取晶圓時,晶圓與晶圓槽210的支撐部220的第二支撐塊221的上支 撐面接觸摩擦產生的顆粒,由于第一支撐塊222大于第二支撐塊221,這些顆粒 掉落到第一支撐塊222的支撐面,而不會掉落到下面的晶圓上,這就保證了晶 圓表面的潔凈。
在本實施例中,所述第二支撐塊221與所述第一支撐塊222位于所述第一 支撐塊222的支撐面內,以保證顆粒完全被第一支撐塊222的支撐面收集到。
在本實施例中,所述多個晶圓槽210相互平行設置,且間隔相同,這就保 證了晶圓放置的數量和均勻度,在對晶圓進行加工時,使各晶圓都能處于相同 的環境,確保了晶圓的質量。
在本實施例中,請結合參見圖3,其所示為本實施例提供的晶舟的支撐部的 示意圖。該支撐部300,包括:第一支撐塊310;以及第二支撐塊320,設置于 所述第一支撐塊310上,且小于所述第一支撐塊310。所述第二支撐塊320位于 所述第一支撐塊310支撐面內。晶圓放置晶圓槽時,是由第二支撐塊320的上 支撐面支撐晶圓,當抽取晶圓時,因摩擦產生的顆粒會掉落到第一支撐塊310 的支撐面,而不會掉落到晶圓面上,避免了晶圓受顆粒污染,保證了晶圓的潔 凈。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





