[發明專利]MOS管的制造方法無效
| 申請號： | 200910051556.2 | 申請日： | 2009-05-19 |
| 公開（公告）號： | CN101894757A | 公開（公告）日： | 2010-11-24 |
| 發明（設計）人： | 趙猛 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 20120*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mos 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種提高MOS管增益的制造方法，在完成輕摻雜漏極區離子注入后，以一傾角注入離子，在所述輕摻雜漏極區下的半導體襯底內形成袋狀摻雜區，其特征在于：所述傾角為垂直于半導體器件表面的豎直面與離子注入方向形成的夾角，所述傾角在大于0度小于等于7度的范圍內。
2.如權利要求1所述提高MOS管增益的制造方法，其特征在于：所述傾角為5度。
3.如權利要求1所述提高MOS管增益的制造方法，其特征在于：當所述MOS管為NMOS管時，注入的離子為磷離子，能量為15KeV～40KeV，劑量為20E3～45E3。
4.如權利要求3所述提高MOS管增益的制造方法，其特征在于：注入的磷離子能量為25KeV，劑量為30E3。
5.如權利要求1所述提高MOS管增益的制造方法，其特征在于：當所述MOS管為PMOS管時，注入的離子為砷離子，能量為25KeV～50KeV，劑量為20E3～45E3。
6.如權利要求5所述提高MOS管增益的制造方法，其特征在于：注入的砷離子能量為40KeV，劑量為30E3。
7.如權利要求1所述提高MOS管增益的制造方法，其特征在于：注入離子分為若干步驟進行，每進行一步驟，將該MOS管器件旋轉一角度，然后繼續注入離子。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
