[發明專利]電磁場輔助的金屬有機物化學氣相沉積無效
| 申請號： | 200910051270.4 | 申請日： | 2009-05-14 |
| 公開（公告）號： | CN101886251A | 公開（公告）日： | 2010-11-17 |
| 發明（設計）人： | 甘志銀;王亮;胡少林;陳倩翌;朱?？?/a>;嚴晗 | 申請（專利權）人： | 廣東昭信半導體裝備制造有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/18 | 分類號： | C23C16/18;C23C16/44 |
| 代理公司： | 廣州市越秀區哲力專利商標事務所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 湯喜友 |
| 地址： | 528251 廣東省佛山市南*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電磁場 輔助 金屬 有機物 化學 沉積 | ||
1.一種電磁場輔助的金屬有機物化學氣相沉積設備，包括：反應腔、噴淋口裝置、噴淋冷卻液體進口、襯底載片臺、石墨盤、石墨盤支承軸、電極，其特征在于：在金屬有機物化學氣相沉積設備的噴淋口上增設上電極，在石墨盤側邊或底邊增設下電極，上電極與下電極構成平板電容結構，形成垂直于襯底表面的電場。
2.根據權利要求1所述的電磁場輔助的金屬有機物化學氣相沉積設備，其特征在于所述上電極、下電極由高熔點金屬材料制成，下電極制作成一個圓環或者多匝線圈安裝在石墨盤的側邊或底邊。
3.根據權利要求2所述的電磁場輔助的金屬有機物化學氣相沉積設備，其特征在于所述下電極制作成兩個半環經耐高溫絕緣環安裝在石墨盤周圍。
4.根據權利要求2所述的電磁場輔助的金屬有機物化學氣相沉積設備，其特征在于所述下電極制作成三個三分之一環形狀的電極經耐高溫絕緣環安裝在石墨盤周圍。
5.根據權利要求1所述的電磁場輔助的金屬有機物化學氣相沉積設備，其特征在于所述，交變電場的波形為正弦波或三角波或方波或脈沖波，輸入電流源為兩相交流電或多相交流電。
6.用權利要求1所述的設備控制和調節半導體外延薄膜生長極性的方法，其步驟為：
(1)將襯底送入金屬有機物化學氣相沉積設備中，在襯底上生長本征或摻雜III族氮化物外延薄膜材料；
(2)在生長外延薄膜的過程中，通過施加恒定或交變電場和磁場，調節外延薄膜材料極性程度，獲得非極性或半極性外延材料；
(3)在生長p型或n型摻雜I?I?I族氮化物外延薄膜時，通過施加恒定或交變電場和磁場，調節外延薄膜極性程度，實現高摻雜效率III族氮化物外延薄膜合成。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
