[發明專利]液晶顯示裝置及其驅動方法有效
| 申請號: | 200910050985.8 | 申請日: | 2009-05-07 |
| 公開(公告)號: | CN101881911A | 公開(公告)日: | 2010-11-10 |
| 發明(設計)人: | 馬駿;羅熙曦;吳勇;凌志華 | 申請(專利權)人: | 上海天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1368;G09G3/36 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 李麗 |
| 地址: | 201201 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 液晶 顯示裝置 及其 驅動 方法 | ||
技術領域
本發明涉及液晶顯示技術,特別涉及液晶顯示裝置及其驅動方法
背景技術
由于液晶顯示裝置具有輕、薄、占地小、耗電小、輻射小等優點,被廣泛應用于各種數據處理設備中,例如電視、筆記本電腦、移動電話、個人數字助理等。采用薄膜晶體管來控制液晶顯示裝置中液晶分子排布的薄膜晶體管液晶顯示裝置(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display,TFT-LCD)是最常見的一種液晶顯示裝置。
液晶顯示裝置可以根據其中液晶分子的取向而分為不同的模式。例如,公知的,通過液晶分子在未被施加電壓的情況下的扭曲取向構建的扭曲向列(Twist?Nematic;TN)模式。在TN模式的結構中,液晶分子沿垂直于基板平面的方向取向,同時平行于基板的平面中依次旋轉液晶分子的取向方向。故,在TN模式中,存在視角較小、響應時間長、開口率低的缺點。
有鑒于此,業界又提出了一種垂直配向(Vertically?Aligned;VA)模式,在VA模式下,液晶在伴隨施加電壓而產生的液晶取向中不會產生所謂的扭曲,所以響應時間短、視角較大,因而得到迅速普及。
具體來講,垂直配向(Vertically?Aligned;VA)方式的液晶顯示裝置具有在內側面形成有透明電極而在外側配置有偏光板的一對透明基板。在二片透明基板之間填充負介電各向異性的液晶分子,當在其二側的電極上,例如銦錫氧化物(ITO)電極,施加電場后,液晶分子會在電場作用下發生偏轉,配合偏光片和背光源的設置而產生了光程差,以此實現圖像的顯示。但是,如果偏壓電場是完全均勻分布的,液晶分子在偏轉時就是雜亂取向的。這種雜亂取向的偏轉不僅要耗費極長的響應時間,而且無規則的偏轉會形成多個雜亂的疇,疇與疇交界處的疇線由于液晶分子無法偏轉,則成為了無效顯示區域,相應降低了像素的實際開口率。因此,人為控制液晶分子的偏轉狀況是VA模式的一個重要課題。
目前,解決液晶分子無規則偏轉的改進方法主要有二種:一種是多疇垂直配向(Multi-domain?Vertical?Alignment,MVA),其是在ITO電極表面制作一定形狀的突起(Rib)以使液晶分子獲得傾斜鉚定,在未施加電壓的狀態下,配向于垂直方向的液晶分子會隨著突起的形成而約略傾斜,在預傾的情況下液晶分子的偏轉方向就得到了控制。另一種是圖像垂直調整(Patterned?Vertical?Alignment,PVA),其是在ITO電極上劃刻狹縫以形成傾斜電場和ITO邊緣側向電場,利用有規則傾斜方向的電場來確定液晶分子的偏轉方向。關于上述多疇垂直配向和圖像垂直調整二種改進方法的介紹在申請號20051008255.4的中國發明專利申請公開說明書中也有提及。
但是,上述二種改進方法分別需要在ITO電極上制作突起或狹縫,制作工藝復雜,增加工藝成本。
發明內容
本發明的目的是提供一種液晶顯示裝置,以解決現有技術中須在電極上額外制作突起或劃刻狹縫來控制液晶分子預傾偏轉易造成工藝復雜、成本增加的問題。
為解決上述問題,本發明在一方面提供一種液晶顯示裝置,具有多個像素區、若干掃描線和若干數據線,所述液晶顯示裝置包括:
第一基板;
第二基板,與所述第一基板呈相對設置;
包括有液晶分子的液晶層,設于所述第一基板和所述第二基板之間;
第一共用電極,設于所述第一基板的內側;
第二共用電極,設于所述第二基板的內側;
像素開關元件,設于所述第一基板上數據線與掃描線的交匯處,并電連接于所述掃描線和數據線;
像素電極,設于所述第一共用電極上,并電連接于所述像素開關元件;所述第一共用電極具有突出于所述像素電極的邊界的側緣,所述突出的側緣在施加驅動信號時形成促使液晶分子產生偏轉的側向電場。
可選地,所述液晶顯示裝置還包括:掃描線驅動電路,用于施加掃描信號至掃描線;數據線驅動電路,用于施加數據信號至數據線。
可選地,所述像素開關元件為薄膜晶體管,具體包括:柵極,電連接于掃描線,用于根據掃描線進行導通/關斷操作;源極,電連接于數據線,接收數據信號;漏極,電連接于像素電極。
可選地,在所述像素電極與所述第一共用電極之間還包括柵極絕緣層。
可選地,所述第一共用電極具有突出于所述像素電極的邊界的側緣包括所述第一共用電極的任意二相對側緣或所述第一共用電極的四周側緣突出于所述像素電極的邊界。
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