[發明專利]一種建立銅互連化學機械拋光工藝模型的方法有效
| 申請號： | 200910050941.5 | 申請日： | 2009-05-11 |
| 公開（公告）號： | CN101887467A | 公開（公告）日： | 2010-11-17 |
| 發明（設計）人： | 曾璇;嚴昌浩;陶俊;馮春陽 | 申請（專利權）人： | 復旦大學 |
| 主分類號： | G06F17/50 | 分類號： | G06F17/50;H01L21/321;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海正旦專利代理有限公司 31200 | 代理人： | 包兆宜 |
| 地址： | 20043*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 建立 互連 化學 機械拋光 工藝 模型 方法 | ||
1.一種建立銅互連化學機械拋光工藝模型的方法，其特征是，所述的方法是一個隨打磨時間步進的過程，其包括：
(1)在當前時刻下，利用譜展開方法和非線性變換方法，生成符合給定打磨墊表面形貌概率統計特性的粗糙表面采樣；
(2)求解出該采樣的粗糙表面與芯片表面的粗糙接觸問題，獲得芯片表面上的壓力分布；
(3)根據接觸壓力與移除速率之間的關系，得到芯片表面任一點的移除速率，進而進行芯片高度形貌演進，得到芯片在當前時刻的形貌；
(4)判斷當前時刻是否等于打磨總時間，如果不相等則進行到下一離散時刻點，重復以上步驟1到步驟3，否則進行步驟5；
(5)打磨結束后，計算碟陷與侵蝕，輸出最終芯片表面高度形貌信息。
2.按權利要求1所述的方法，其特征是，所述的化學機械拋光工藝模型是粗糙打磨墊化學機械拋光工藝模型，通過下述步驟建立：
(一)打磨墊粗糙表面的生成
利用打磨墊高度的概率密度函數或累積密度函數和自相關函數或功率譜密度對打磨墊粗糙表面進行建模；
(二)求解打磨墊表面與芯片表面的粗糙接觸問題
步驟(一)生成打磨墊的粗糙表面采樣后，采用接觸力學原理，精確求解打磨墊粗糙表面與芯片表面之間的接觸壓力分布；
(三)將接觸壓力轉換成移除速率并進行芯片表面形貌演進
獲得芯片表面任意一點壓力p(x，y)后，通過下式得到芯片表面任一點的移除速率MRR(x，y)
MRR(x，y)＝F[p(x，y)]????????????(18)
其中，MRR(x，y)為p(x，y)的函數，
其中Pl為CMP工藝的標準壓力，MRRn為在此標準壓力下的移除速率；
(四)判斷當前時刻是否等于打磨總時間，如果不相等則進行到下一離散時刻點，重復以上步驟一到步驟三，否則進行步驟五；
(五)根據最終芯片表面形貌計算碟陷和侵蝕在芯片上分布的值。
3.按權利要求2所述的方法，其特征是，所述的步驟(一)中，不需對打磨墊表面做任何的幾何簡化和近似。
4.按權利要求2所述的方法，其特征是，所述的步驟(一)中，輸入為打磨墊表面高度的概率密度函數pdf(x)或累積密度函數cdf(x)和自相關函數R(x)或功率譜密度S(x)。
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