[發明專利]制造GaN基光電器件的低損傷ICP刻蝕方法無效
| 申請號： | 200910050917.1 | 申請日： | 2009-05-08 |
| 公開（公告）號： | CN101552197A | 公開（公告）日： | 2009-10-07 |
| 發明（設計）人： | 袁根如;郝茂盛;張楠;李士濤;陳誠;朱廣敏 | 申請（專利權）人： | 上海藍光科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/3065 | 分類號： | H01L21/3065;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制造 gan 光電 器件 損傷 icp 刻蝕 方法 | ||
1.一種制造GaN基光電器件的低損傷ICP刻蝕方法，采用ICP刻蝕技術將p型GaN層刻蝕至n型GaN層，其特征在于，包括以下步驟：
第一步主刻蝕，采用Cl2和Ar的混合氣體作刻蝕氣體，工作氣壓為0.3-2Pa，ICP功率為120-180W，從p型GaN層刻蝕至n型GaN層上表面；
第二步輔刻蝕，采用BCl3氣體作刻蝕氣體，工作氣壓為0.3-2Pa，ICP功率為120-180W，從所述n型GaN層上表面刻蝕掉部分n型GaN。
2.根據權利要求1所述制造GaN基光電器件的低損傷ICP刻蝕方法，其特征在于：所述第一步主刻蝕的偏壓功率為15-40W。
3.根據權利要求1所述制造GaN基光電器件的低損傷ICP刻蝕方法，其特征在于：所述第一步主刻蝕的刻蝕速率為0.1um/min-0.15um/min。
4.根據權利要求1所述制造GaN基光電器件的低損傷ICP刻蝕方法，其特征在于：所述第二步輔刻蝕的偏壓功率為10-30W。
5.根據權利要求1所述制造GaN基光電器件的低損傷ICP刻蝕方法，其特征在于：所述第二步輔刻蝕的刻蝕速率為0.03um/min-0.05um/min。
6.根據權利要求1所述制造GaN基光電器件的低損傷ICP刻蝕方法，其特征在于：所述刻蝕掉的部分n型GaN的厚度為0.03um-0.1um。
7.根據權利要求1所述制造GaN基光電器件的低損傷ICP刻蝕方法，其特征在于：第一步主刻蝕中所述其兩種氣體的體積比為Cl2∶Ar＝3～8∶1。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
