[發(fā)明專利]半導(dǎo)體硅片的清洗方法和裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910050834.2
• 申請(qǐng)日: 2009-05-08
• 公開（公告）號(hào): CN101879511A
• 公開（公告）日: 2010-11-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王堅(jiān);S·V·納其;謝良智;武俊萍;賈照偉;黃允文;高志峰;王暉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司
• 主分類號(hào): B08B3/12
• 分類號(hào): B08B3/12;H01L21/00
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陸嘉

1.一種利用超聲波或兆聲波裝置清洗半導(dǎo)體襯底的方法，包含：

利用一個(gè)硅片夾夾住半導(dǎo)體襯底；

將一套超聲波或兆聲波裝置置于接近半導(dǎo)體襯底的位置；

利用至少一個(gè)噴嘴將化學(xué)液體噴射到硅片襯底及半導(dǎo)體襯底與超聲波或兆聲波裝置之間的間隙中。

在清洗過程中，硅片夾每旋轉(zhuǎn)一圈，都要改變半導(dǎo)體襯底和超聲波或兆聲波裝置之間的距離。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，通過將超聲波或兆聲波裝置以垂直于半導(dǎo)體襯底的方向移動(dòng)來改變間隙的大小。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，通過將硅片夾以垂直于超聲波或兆聲波裝置的方向移動(dòng)來改變間隙的大小。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，超聲波或兆聲波裝置置于朝向并靠近半導(dǎo)體襯底正面的位置。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，超聲波或兆聲波裝置置于朝向并靠近半導(dǎo)體襯底背面的位置。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，化學(xué)液體通過置于半導(dǎo)體硅片正面附近的第一個(gè)噴嘴噴射到半導(dǎo)體襯底正面，同時(shí)，化學(xué)液體通過置于半導(dǎo)體硅片背面附近的第二個(gè)噴嘴噴射到半導(dǎo)體襯底背面。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，硅片夾每旋轉(zhuǎn)一圈，間隙增大0.5λ/N，這里λ是超聲波或兆聲波的波長(zhǎng)，N是一個(gè)從2到1000的整數(shù)。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，硅片夾每旋轉(zhuǎn)一圈，間隙減小0.5λ/N，這里λ是超聲波或兆聲波的波長(zhǎng)，N是一個(gè)從2到1000的整數(shù)。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在清洗過程中，間隙大小在0.5λn范圍內(nèi)變化，這里λ是超聲波或兆聲波的波長(zhǎng)，n是從1開始的整數(shù)。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，聲學(xué)儀器的聲波頻率是雙頻率。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，雙頻率包括一個(gè)高頻f1和一個(gè)低頻f2，并且f1＝M?f2，這里M是從2開始的整數(shù)。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，硅片夾每旋轉(zhuǎn)一圈，間隙增大0.5λ₁/N，這里λ₁是高頻波的波長(zhǎng)，N是一個(gè)從2到1000的整數(shù)。

13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，硅片夾每旋轉(zhuǎn)一圈，間隙減小0.5λ₁/N，這里λ₁是頻率為f1的高頻波的波長(zhǎng)，N是一個(gè)從2到1000的整數(shù)。

14.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，在清洗過程中，間隙大小在0.5λ₂n范圍內(nèi)變化，這里λ₂是低頻波的波長(zhǎng)，n是從1開始的整數(shù)。

15.利用超聲波或兆聲波裝置清洗半導(dǎo)體襯底的裝置，包含：

一個(gè)夾著半導(dǎo)體襯底的硅片夾；

一套置于半導(dǎo)體襯底附近的超聲波或兆聲波裝置；

至少有一個(gè)噴嘴將化學(xué)液體噴射到硅片襯底及半導(dǎo)體襯底與超聲波或兆聲波裝置之間的間隙中；

在清洗過程中，硅片夾每旋轉(zhuǎn)一圈，一個(gè)控制單元改變半導(dǎo)體襯底和超聲波或兆聲波裝置之間的距離。

16.如權(quán)利要求15所述的裝置，其中，通過將超聲波或兆聲波裝置以垂直于半導(dǎo)體襯底的方向移動(dòng)來改變間隙的大小。

17.如權(quán)利要求15所述的裝置，其中，通過將硅片夾以垂直于超聲波或兆聲波裝置的方向移動(dòng)來改變間隙的大小。

18.如權(quán)利要求15所述的裝置，其中，超聲波或兆聲波裝置置于朝向并靠近半導(dǎo)體襯底正面的位置。

19.如權(quán)利要求15所述的裝置，其中，超聲波或兆聲波裝置置于朝向并靠近半導(dǎo)體襯底背面的位置。

20.如權(quán)利要求19所述的裝置，其中，化學(xué)液體通過置于半導(dǎo)體硅片正面附近的第一個(gè)噴嘴噴射到半導(dǎo)體襯底正面，同時(shí)，化學(xué)液體通過置于半導(dǎo)體硅片背面附近的第二個(gè)噴嘴噴射到半導(dǎo)體襯底背面。

21.如權(quán)利要求15所述的裝置，其中，硅片夾每旋轉(zhuǎn)一圈，間隙增大0.5λ/N，這里λ是超聲波或兆聲波的波長(zhǎng)，N是一個(gè)從2到1000的整數(shù)。