[發明專利]晶圓背面粗糙處理的方法

無效

• 申請號: 200910050695.3
• 申請日: 2009-05-06
• 公開（公告）號: CN101882577A
• 公開（公告）日: 2010-11-10
• 發明（設計）人: 陳泰江;江彤;呂隆
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/306;H01L21/00;H01L21/60
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種晶圓背面粗糙處理的方法，其特征在于包括下列步驟：

將上述晶圓正面貼膜并對上述晶圓背面進行研磨處理；

對上述晶圓背面進行濕式化學蝕刻處理；

將上述晶圓背面進行水洗烘干處理，

其中上述濕式化學蝕刻處理步驟所使用的化學蝕刻劑包括H₂SO₄、KNO₃以及NH₄HF。

2.根據權利要求1所述的晶圓背面粗糙處理的方法，其特征在于所述化學蝕刻劑由27～33L質量百分比濃度為98％的H₂SO₄加上3～4kg的KNO₃和1.8～2.2kg的NH₄HF混合而成。

3.根據權利要求1所述的晶圓背面粗糙處理的方法，其特征在于使用化學蝕刻劑處理晶圓的時間為10～15分鐘，溫度為20～25攝氏度。

4.根據權利要求1所述的晶圓背面粗糙處理的方法，其特征在于所述濕式化學蝕刻處理步驟還包括將上述晶圓放入質量百分比濃度為4％的KOH溶液中處理，之后再將晶圓放入體積百分比濃度為0.9∶100～1.1∶100的HF溶液中處理。

5.根據權利要求3所述的晶圓背面粗糙處理的方法，其特征在于所述使用KOH溶液處理晶圓的時間為10～20秒，溫度為60～80攝氏度。

6.根據權利要求3所述的晶圓背面粗糙處理的方法，其特征在于所述使用HF溶液處理晶圓的時間為2～4分鐘，溫度為20～25攝氏度。

7.根據權利要求1所述的晶圓背面粗糙處理的方法，其特征在于所述水洗處理步驟為將晶圓使用去離子水進行沖洗，處理時間為10～15分鐘。

8.根據權利要求1所述的晶圓背面粗糙處理的方法，其特征在于所述烘干步驟的處理時間為10～15分鐘，溫度為80～100攝氏度。

9.根據權利要求1所述的晶圓背面粗糙處理的方法，其特征在于該方法還包括對上述晶圓進行金屬蒸鍍處理，

在晶圓背面依次鍍上Ti、Ni和Ag金屬或者Ti、Ni和Au金屬。

10.根據權利要求9所述的晶圓背面粗糙處理的方法，其特征在于所述蒸鍍金屬的厚度分別為900～1100埃、2700～3300埃和9000～11000埃。

11.根據權利要求9所述的晶圓背面粗糙處理的方法，其特征在于所述蒸鍍金屬的蒸鍍溫度為89～91攝氏度。