[發明專利]一種含鍺銻硒的多級電阻轉換存儲材料及應用有效
| 申請號： | 200910050392.1 | 申請日： | 2009-04-30 |
| 公開（公告）號： | CN101546810A | 公開（公告）日： | 2009-09-30 |
| 發明（設計）人： | 顧怡峰;宋志棠;張挺;劉波;封松林 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;C22C12/00;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 上海泰能知識產權代理事務所 | 代理人： | 黃志達;宋 纓 |
| 地址： | 200050*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 含鍺銻硒 多級 電阻 轉換 存儲 材料 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種含鍺銻硒的多級電阻轉換存儲材料，其組分由鍺、銻、硒三種元素組成，其中鍺、 銻、硒三種元素的原子百分比依次為0.01～20∶70～99.9∶0.01～15。
2.一種如權利要求1所述的含鍺銻硒的多級電阻轉換存儲材料應用于電編程的電阻轉換存 儲器。
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