[發(fā)明專利]在真空蒸發(fā)制膜過程中控制薄膜取向的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910050331.5
• 申請日: 2009-04-30
• 公開（公告）號: CN101555583A
• 公開（公告）日: 2009-10-14
• 發(fā)明（設計）人: 任忠鳴;任樹洋;任維麗;操光輝;鄧康;鐘云波;雷作勝
• 申請（專利權）人: 上海大學
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C14/54
• 代理公司: 上海上大專利事務所(普通合伙)
• 代理人: 顧勇華

1、一種在真空蒸發(fā)制膜過程中控制薄膜取向的方法，其特征在于具有以下的過程和步驟：

a.利用傳統(tǒng)普通常用的真空蒸發(fā)沉積薄膜裝置，將欲鍍膜的基片放置于裝置內的工作臺上，基片可水平放置或垂直放置；在真空蒸發(fā)沉積室外側設有一強磁場發(fā)生裝置，對基片的氣體蒸發(fā)凝結區(qū)施加強磁場，其磁場強度為4特斯拉；通過真空泵對蒸發(fā)沉積是真空，使達到10^-3Pa的真空度；打開電源，開通電阻加熱器，加熱功率為20W；位于下部的蒸發(fā)源金屬材料，被加熱后使金屬材料穩(wěn)定蒸發(fā)，經(jīng)60～120秒時間后，在基片上沉積有微米級的金屬薄膜；

b.對平行磁場和垂直磁場方向放置的基片上沉積的薄膜進行X射線衍射分析；垂直磁場方向基片上制備的薄膜取向方向為[002]方向；而平行于磁場方向基片上制備的薄膜取向方向為[101]方向。

2、一種在真空蒸發(fā)制膜過程中控制薄膜取向的方法中所用的裝置，它為傳統(tǒng)的普通常用的真空蒸發(fā)沉積裝置，該裝置包括有：放置基片的工作臺(2)、真空蒸發(fā)沉積室(3)，金屬蒸發(fā)源(4)、加熱電極(5)、真空泵接口(6)；其特征在于在所述的真空蒸發(fā)沉積室(3)的外側還設置有一強磁場發(fā)生裝置(1)；該強磁場發(fā)生裝置(1)要求產(chǎn)生的磁場強度大于4特斯拉。