[發明專利]一種CuInS2超薄膜的制備方法及制備的CuInS2超薄膜無效
| 申請號： | 200910050267.0 | 申請日： | 2009-04-29 |
| 公開（公告）號： | CN101546791A | 公開（公告）日： | 2009-09-30 |
| 發明（設計）人： | 穆帥;康詩釗 | 申請（專利權）人： | 華東理工大學 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;C03C17/22;C30B33/00;H01L31/0264 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人： | 繆利明 |
| 地址： | 200237*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 cuins sub 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種CuInS2超薄膜的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
A)基片表面的3-巰基丙基三甲氧基硅烷修飾；
B)將修飾后的基片依次浸入到含Cu2+、雙硫醇、In3+和雙硫醇的乙醇溶液中浸泡；
C)重復步驟B)多次，獲得(-Cu2+-雙硫醇-In3+-雙硫醇-)n多層膜；
D)將獲得的(-Cu2+-雙硫醇-In3+-雙硫醇-)n多層膜焙燒并自然冷卻至室溫，獲得CuInS2超薄膜。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述基片為玻璃、石英或單晶硅基片。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述3-巰基丙基三甲氧基硅烷修飾為在含3-巰基丙基三甲氧基硅烷的甲苯溶液中回流。
4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述回流為于90～150℃回流1～6小時。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述含Cu2+的乙醇溶液為含氯化銅、硫酸銅、硝酸銅或醋酸銅的乙醇溶液，所述Cu2+濃度為0.01～0.1mol/L。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述含In3+的乙醇溶液為含氯化銦、硫酸銦、硝酸銦或醋酸銦的乙醇溶液，所述In3+的乙醇溶液中In3+濃度為0.01～0.1mol/L。
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述雙硫醇為己二硫醇或丙二硫醇，所述雙硫醇濃度為0.01～0.5mol/L。
8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟B)中的浸泡時間均為30s～5min。
9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述焙燒為于230～450℃焙燒1～8小時。
10.如權利要求1～9中任一項所述的方法，其特征在于，所述步驟A前還包括基片預處理的步驟。
11.如權利要求10所述的方法，其特征在于，所述基片預處理步驟是將基片置于50～120℃的鉻酸洗液中浸泡15～45min。
12.如權利要求1～11中任一項所述的方法制備的CuInS2超薄膜。
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