[發(fā)明專利]一種絕緣柵雙極晶體管及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910050227.6
• 申請(qǐng)日: 2009-04-29
• 公開（公告）號(hào): CN101877359A
• 公開（公告）日: 2010-11-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 商海涵
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 商海涵
• 主分類號(hào): H01L29/739
• 分類號(hào): H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331;H01L21/265
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種絕緣柵雙極晶體管，由硅晶片制成，所述絕緣柵雙極晶體管包括P+區(qū)、N-區(qū)、P區(qū)及N+區(qū)，P區(qū)和N+區(qū)位于硅晶片的正面，P+區(qū)位于硅晶片的背面，其特征在于，所述P+區(qū)包括多個(gè)縱向摻雜分布的P型雜質(zhì)區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，利用光刻工藝定義所述P+區(qū)及所述雜質(zhì)區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，所述雜質(zhì)區(qū)等間距或不等間距分布。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，所述P型雜質(zhì)以離子注入的方式注入。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，所述離子注入的劑量范圍為1E13/cm^2到4E13/cm^2。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，所述離子注入的能量范圍為20KeV到200KeV。

7.一種制造絕緣柵雙極晶體管的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

第一步，提供基材，在所述基材的正面形成P區(qū)及N+區(qū)，在所述基材的背面利用光刻工藝形成定義發(fā)射極及其雜質(zhì)區(qū)；

第二步，利用光刻膠作為掩膜，通過離子注入的方式對(duì)雜質(zhì)區(qū)注入P型雜質(zhì)；

第三步，激活注入的P型雜質(zhì)；及

第四步，背面蒸發(fā)形成金屬層，制成絕緣柵雙極晶體管。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造的方法，其特征在于，在第一步中，在光刻工藝前，對(duì)基材的背面減薄。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造的方法，其特征在于，在第二步中，離子注入的劑量范圍為1E13/cm^2到4E13/cm^2。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造的方法，其特征在于，所述離子注入的能量為范圍20KeV到200KeV。