[發(fā)明專利]電鍍銅方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910049992.6 | 申請日： | 2009-04-24 |
| 公開（公告）號： | CN101871110A | 公開（公告）日： | 2010-10-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 徐俊 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | C25D7/12 | 分類號： | C25D7/12;H01L21/288 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 20120*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 鍍銅 方法 | ||
1.一種電鍍銅方法，包括初始化、填洞和過量電鍍?nèi)齻€階段，其特征在于：所述初始化、填洞和過量電鍍?nèi)齻€階段的晶圓的轉(zhuǎn)速范圍都為10圈/分鐘至14圈/分鐘；所述填洞階段包括兩個步驟，第一步驟的電鍍電流范圍為6.5安培至7安培；第二步驟的電鍍電流范圍為13安培至14安培。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電鍍銅方法，其特征在于所述第一步驟的電鍍電流為6.75安培。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電鍍銅方法，其特征在于所述第二步驟的電鍍電流為13.5安培。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電鍍銅方法，其特征在于所述初始化、填洞和過量電鍍?nèi)齻€階段的晶圓的轉(zhuǎn)速相等。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種電鍍銅方法，其特征在于所述初始化、填洞和過量電鍍?nèi)齻€階段的晶圓的轉(zhuǎn)速都為12圈/分鐘。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電鍍銅方法，其特征在于所述初始化階段的電鍍電流為4.5安培，持續(xù)時間為5秒至6秒。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種電鍍銅方法，其特征在于所述初始化階段持續(xù)時間為5.5秒。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電鍍銅方法，其特征在于所述填洞階段第一步驟的持續(xù)時間范圍為55秒至60秒。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種電鍍銅方法，其特征在于所述填洞階段第一步驟的持續(xù)時間為57秒。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電鍍銅方法，其特征在于所述填洞階段第二步驟的持續(xù)時間范圍為8秒至10秒。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的一種電鍍銅方法，其特征在于所述填洞階段第二步驟的持續(xù)時間為9秒。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電鍍銅方法，其特征在于所述過量電鍍階段的電鍍電流40.5安培，持續(xù)時間的范圍為18秒至22秒。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的一種電鍍銅方法，其特征在于所述過量電鍍階段持續(xù)時間為20秒。
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