[發明專利]功率金屬氧化物半導體結終端結構的制作工藝

無效

• 申請號: 200910049797.3
• 申請日: 2009-04-22
• 公開（公告）號: CN101635259A
• 公開（公告）日: 2010-01-27
• 發明（設計）人: 劉憲周;吳小莉
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/316
• 分類號: H01L21/316;H01L21/336
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所
• 代理人: 鄭 瑋

1.一種功率金屬氧化物半導體結終端結構的制作工藝，其特征是，包括以下步驟：

在晶片表面形成墊氧化層；

在上述的墊氧化層上形成氮薄膜；

對上述的氮薄膜進行曝光和蝕刻，形成空窗，讓晶片上需要被氧化的區域暴露出來；

在暴露出來的部分晶片上形成厚氧化層；以及

剝除上述的氮薄膜。

2.根據權利要求1所述的功率金屬氧化物半導體結終端結構的制作工藝，其中所述的制作工藝應用于輸入電壓大于500V的功率金屬氧化物半導體。

3.根據權利要求1所述的功率金屬氧化物半導體結終端結構的制作工藝，更包括：

形成上述的厚氧化層時，氧化劑擴散至晶片內，在上述的晶片內形成部分的厚氧化層，以降低結終端結構的厚度。

4.根據權利要求1所述的功率金屬氧化物半導體結終端結構的制作工藝，其特征在于，所形成的結終端結構的剖面具有平滑的弧度。