[發明專利]金屬氧化物半導體場效應晶體管無效
| 申請號： | 200910049795.4 | 申請日： | 2009-04-22 |
| 公開（公告）號： | CN101593775A | 公開（公告）日： | 2009-12-02 |
| 發明（設計）人： | 孔蔚然 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所 | 代理人： | 鄭 瑋 |
| 地址： | 201203上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 氧化物 半導體 場效應 晶體管 | ||
【權利要求書】：
1.一種金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，包括：
半導體襯底；
凹槽，形成在所述半導體襯底中；
柵極側墻，分別形成在所述凹槽的側壁上；
柵極介電層，形成在所述柵極側墻之間的凹槽底面上；
柵極，形成在所述柵極側墻和柵極介電層圍成的收容空間內；
輕摻雜漏極區，分別形成在所述柵極側墻下方的半導體襯底內；
源極區和漏極區，分別形成在所述柵極側墻兩側的半導體襯底表面下方，并與兩側的輕摻雜漏極區相連。
2.如權利要求1所述的金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于：所述源極區、漏極區還形成有金屬硅化物。
3.如權利要求1所述的金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于：所述柵極為N型或P型多晶硅柵極或者金屬柵極。
4.如權利要求1所述的金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于：所述柵極介電層為硅的氧化物、硅的氮氧化物、HfO2或者其他高介電常數的介質層。
5.如權利要求1所述的金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于：所述柵極側墻為氧化物、氮化物、氧化物與氮化物的組合或者其他介質。
6.如權利要求2所述的金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于：所述的金屬硅化物為鈦或鈷或鎳的硅化物。
7.如權利要求6所述的金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于：所述鈷的硅化物為CoSi2。
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