[發(fā)明專利]TFT陣列基板制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910049779.5
• 申請(qǐng)日: 2009-04-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101527283A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-09-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 譚莉;吳賓賓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海廣電光電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/84
• 分類號(hào): H01L21/84;H01L21/768;H01L21/027
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司
• 代理人: 白璧華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件的制造方法，尤其涉及TFT陣列基板制造方法。

背景技術(shù)

現(xiàn)在的液晶顯示器主要以薄膜晶體管液晶顯示器(TFT?LCD)為主流，TFT?LCD(ThinFilm?Transistor?Liquid?Crystal?Display)的一般結(jié)構(gòu)是具有彼此相對(duì)的TFT陣列基板和彩膜基板，在兩個(gè)基板之間設(shè)置襯墊料以保持盒間隙，并在該盒間隙之間填充液晶。

目前量產(chǎn)的TFT陣列基板大多至少需要四輪光罩工序。圖1為采用四道光罩工序制造的現(xiàn)有技術(shù)TFT陣列基板的平面圖，圖2為沿圖1的A-A’、B-B’線提取的截面圖。參照?qǐng)D1和圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板在基板1上形成有彼此交叉的柵線11和數(shù)據(jù)線52，柵線11與數(shù)據(jù)線52的交叉區(qū)形成TFT?91。TFT?91包括柵極10、源極51和漏極50。所述柵極10形成在與基板1直接接觸的第一金屬層上，在柵極10上依次覆蓋有柵絕緣層20、半導(dǎo)體層30、歐姆接觸40、源極51、漏極50和鈍化層60。柵極10連接到柵線11，源極51連接到數(shù)據(jù)線52。在由柵極10和數(shù)據(jù)線52交叉限定的像素區(qū)域中形成像素電極78，所述像素電極78通過(guò)接觸孔70和TFT?91的漏極50相連。

以下將參照?qǐng)D3A～3D詳細(xì)說(shuō)明采用四道光罩工序的液晶面板的TFT陣列基板制造方法。

參照?qǐng)D3A，采用第一道光罩在基板上形成包括柵線11(參照?qǐng)D1)、柵極10和柵焊盤(pán)12的第一導(dǎo)電圖案組。

參照?qǐng)D3B，先在形成有柵圖案的基板上依次沉積柵絕緣層20、有源層30和歐姆接觸層40，再在歐姆接觸層40上沉積第二導(dǎo)電金屬層50。然后利用第二道光罩在柵絕緣層20上形成包括有源層30和歐姆接觸層40的圖案，以及包括數(shù)據(jù)線52(參照?qǐng)D1)、源極51、漏極50以及數(shù)據(jù)焊盤(pán)53(參照?qǐng)D1)的第二導(dǎo)電圖案層。

參照?qǐng)D3C，在第二導(dǎo)電層圖案形成之后，接著在基板上用PECVD沉積鈍化層60，在形成鈍化層之后，通過(guò)采用第三道光罩的光刻和蝕刻工序，形成接觸孔61。

參照?qǐng)D3D，在接觸孔61形成之后，沉積上一層透明導(dǎo)電層70，通過(guò)第四道光罩在鈍化層上形成包括像素電極78、柵焊盤(pán)上電極72和數(shù)據(jù)焊盤(pán)上電極73的第三導(dǎo)電圖案組。

在液晶顯示器中，由于TFT陣列基板需要半導(dǎo)體工序和多輪光罩工序，其制造工序很復(fù)雜并因此制造成本比較高，主要原因在于一輪光罩工序包括諸如薄膜沉積工序、清洗工序、光刻工序、蝕刻工序、光刻膠剝離和檢查工序等多個(gè)工序。

為了解決這個(gè)問(wèn)題，希望能夠提供一種可以簡(jiǎn)化光罩工序的TFT陣列基板制造方法。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種采用多灰階光罩而簡(jiǎn)化光罩工序的TFT陣列基板制造方法。

本發(fā)明為解決上述技術(shù)問(wèn)題而采用的技術(shù)方案是提供一種TFT陣列基板制造方法，包括以下步驟：

提供一基板，并在該基板上形成一第一金屬層和一第一光刻膠層，利用一第一光罩在該第一金屬層之上形成柵線、柵極和柵焊盤(pán)；

在該基板上繼續(xù)依次沉積一柵絕緣層、一半導(dǎo)體層、一歐姆接觸層、一第二金屬層和一第二光刻膠層，利用一第二光罩在該第二金屬層之上形成源極、漏極、溝道、數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤(pán)下電極；

在該基板上繼續(xù)沉積一絕緣層后放置絲網(wǎng)，所述絲網(wǎng)覆蓋源極、漏極和數(shù)據(jù)線，經(jīng)過(guò)刻蝕形成鈍化層，然后繼續(xù)沉積一第三光刻膠層，利用一第三道光罩形成柵焊盤(pán)接觸孔；

在該基板上繼續(xù)沉積一透明導(dǎo)電層一第四光刻膠層，利用一第四道光罩形成像素電極和數(shù)據(jù)焊盤(pán)上電極。

上述方法中，所述第二光罩為一多灰階光罩。

本發(fā)明對(duì)比現(xiàn)有的四道光罩工序的TFT陣列基板制造方法有如下的有益效果：本發(fā)明在第三道光罩前先使用絲網(wǎng)形成絕緣層，所述絕緣層覆蓋數(shù)據(jù)線和源漏極區(qū)域，然后利用第三道光罩形成柵極焊盤(pán)的接觸孔，最后利用第四道光罩形成像素電極。和現(xiàn)有的四輪光罩工序相比，本發(fā)明提供的TFT陣列基板制造方法中第三道光罩工序僅需形成柵極焊盤(pán)的接觸孔，可以簡(jiǎn)化第三道光罩工序，降低成本，提高產(chǎn)量。此外，采用上述方法制造的TFT陣列基板，所述像素電極不但覆蓋源漏極區(qū)域，還覆蓋了數(shù)據(jù)線，因此有效提高單位面積的電容，從而提供了開(kāi)口率。

附圖說(shuō)明

圖1為采用現(xiàn)有技術(shù)四道光罩工序的TFT陣列基板的平面圖。

圖2為沿圖1的A-A’和B-B’線提取的截面圖。

圖3A～3D是現(xiàn)有技術(shù)的TFT陣列基板的制作流程剖視圖。

圖4為本發(fā)明的TFT陣列基板的平面圖。