[發明專利]一種電感器件及其制備方法

有效

• 申請號: 200910049636.4
• 申請日: 2009-04-21
• 公開（公告）號: CN101533839A
• 公開（公告）日: 2009-09-16
• 發明（設計）人: 黎坡;張擁華;彭樹根
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L21/02;H01L21/768;H01L21/8234;H01L21/265
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王 潔

1.一種電感器件，包括位于互連結構層中的金屬線圈，其特征在于，還包 括通過第一類型半導體摻雜和第二類型半導體摻雜在相鄰區域之間交叉進行 而形成的全耗盡層區域，所述全耗盡層區域形成于半導體襯底中并位于所述 金屬線圈的正下方；

所述全耗盡層區域包括進行第一類型半導體摻雜的第一區域上和進行第 二類型半導體摻雜的第二區域，第一區域和第二區域相互相鄰交叉分布以及 第一區域的四周均為第二區域，且所述第一區域、第二區域在平行于半導體 襯底上表面的截面圖形均為正方形或長方形或三角形。

2.根據權利要求1所述的電感器件，其特征在于，全耗盡層區域在平行于 金屬線圈平面上的截面圖形的面積大于或等于金屬線圈的面積。

3.根據權利要求1所述的電感器件，其特征在于，所述金屬線圈形成于互 連結構層的不同金屬互連層中。

4.根據權利要求3所述的電感器件，其特征在于，不同金屬互連層中的金 屬線圈之間相互面平行并且在垂直于半導體襯底的上表面方向上對準排列。

5.根據權利要求1所述的電感器件，其特征在于，所述第一類型為N型， 所述第二類型為P型。

6.根據權利要求5所述的電感器件，其特征在于，所述全耗盡層區域包括N 型摻雜區域和P型摻雜區域，所述N型摻雜區域的N型摻雜濃度與P型摻 雜區域的P型摻雜濃度相互匹配，使所述N型摻雜區域和P型摻雜區域都 形成全耗盡層。

7.根據權利要求6所述的電感器件，其特征在于，所述N型摻雜區域在平 行于半導體襯底上表面的截面圖形為正方形，所述P型摻雜區域在平行于半 導體襯底上表面的截面圖形為正方形，每個N型摻雜區域四周為P型摻雜區 域，每個P型摻雜區域四周為N型摻雜區域。

8.根據權利要求6所述的電感器件，其特征在于，所述N型摻雜區域在平 行于半導體襯底上表面的截面圖形為長方形，所述P型摻雜區域在半導體襯 底上表面的截面圖形為長方形。

9.根據權利要求1所述的電感器件，其特征在于，全耗盡層區域在垂直于 半導體襯底上表面方向的厚度范圍為0.2μm至2μm。

10.根據權利要求1所述的電感器件，其特征在于，所述摻雜通過離子注入 實現。

11.根據權利要求1所述的電感器件，其特征在于，所述電感器件還包括形 成于半導體襯底之中的淺溝槽隔離層，所述淺溝槽隔離層相鄰位于耗盡層區 域之上。

12.根據權利要求11所述的電感器件，其特征在于，所述淺溝槽隔離層和 耗盡層區域在平行于半導體襯底上表面的截面的形狀大小相同。

13.一種制備如權利要求1所述電感器件的方法，其特征在于，包括以下步 驟：

(1)提供半導體襯底，在所述半導體襯底上的第一區域上進行第一 類型半導體摻雜，在所述半導體襯底上的第二區域上進行第二類 型半導體摻雜，其中，第二區域與所述第一區域相互相鄰交叉分 布，使第二區域與第一區域共同形成全耗盡層區域，第一區域的 四周均為第二區域且第一區域、第二區域在平行于半導體襯底上 表面的截面圖形均為正方形或長方形或三角形；

(2)在所述半導體襯底上構造互連結構層時，在所述全耗盡層區域 正上方的互連結構層中制備金屬線圈。

14.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，所述摻雜是通過離子注入 實現。

15.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，所述金屬線圈形成于互連 結構層的金屬層中，金屬線圈平行于半導體襯底上表面。

16.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一類型半導體摻雜 和在半導體襯底其他區域上形成MOS器件時的第一類型半導體摻雜同步進 行，所述第二類型半導體摻雜和在半導體襯底其他區域上形成MOS器件時 的第二類型摻雜同步進行。