[發明專利]微機電系統器件與集成電路的集成芯片及集成方法無效
| 申請號： | 200910049305.0 | 申請日： | 2009-04-14 |
| 公開（公告）號： | CN101533832A | 公開（公告）日： | 2009-09-16 |
| 發明（設計）人： | 李剛;胡維;梅嘉欣 | 申請（專利權）人： | 李剛;胡維;梅嘉欣 |
| 主分類號： | H01L25/00 | 分類號： | H01L25/00;B81B7/02;H01L23/48;H01L23/31;H01L23/52;H01L23/485;H01L23/488;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 215213江蘇省蘇州市蘇州工*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 微機 系統 器件 集成電路 集成 芯片 方法 | ||
1.一種微機電系統器件與集成電路的集成芯片，其特征在于包括：
第一芯片，其包括第一襯底、在所述第一襯底的一表面上生成的微機電系統器件、第一電氣對接點、環繞所述微機電系統器件生成的第一封裝環、在所述第一襯底另一表面生成的第一絕緣層、及在所述第一絕緣層上生成的且與所述第一電氣對接點電氣連接的第一外部電氣連接點；
與所述第一芯片相對接的第二芯片，其包括與所述微機電系統器件相對應的集成電路、與所述第一電氣對接點融合對接的第二電氣對接點、及與所述第一封裝環融合對接以將所述微機電系統器件、所述集成電路、所述第一電氣對接點與所述第二電氣對接點密封于環內的第二封裝環。
2.如權利要求1所述的微機電系統器件與集成電路的集成芯片，其特征在于：所述第一外部電氣連接點包括：生長于所述第一絕緣層表面的第一電氣連接層、生長于所述第一電氣連接層表面且與所述第一電氣對接點電氣連接的第一附加導電層。
3.如權利要求2所述的微機電系統器件與集成電路的集成芯片，其特征在于：所述第一附加導電層為由在所述第一電氣連接層上生成的第一球下冶金層及在所述第一球下冶金層上生成的第一焊料層形成的第一焊料球。
4.如權利要求3所述的微機電系統器件與集成電路的集成芯片，其特征在于：所述第一球下冶金層包括生成于所述第一電氣連接層上的第一黏附層、生成于所述第一黏附層上的第一擴散阻擋層、生成于所述第一擴散阻擋層上的第一浸潤層及生成于所述第一浸潤層上的第一氧化阻擋層。
5.如權利要求1所述的微機電系統器件與集成電路的集成芯片，其特征在于：所述第一絕緣層的材料為SiO2或氮化硅。
6.一種微機電系統器件與集成電路的集成芯片，其特征在于包括：
第一芯片，其包括微機電系統器件、第一電氣對接點、及環繞所述微機電系統器件生成的第一封裝環；
具有第二襯底且與所述第一芯片相對接的第二芯片，其包括在所述第二襯底一表面上生成的集成電路、第二電氣對接點和第二封裝環，其中，所述集成電路與所述微機電系統器件相對應，所述第二電氣對接點與所述第一電氣對接點融合對接，所述第二封裝環與所述第一封裝環融合對接以將所述微機電系統器件、所述集成電路、所述第一電氣對接點與所述第二電氣對接點密封于環內，所述第二芯片還包括在所述第二襯底另一表面生成的第二絕緣層、及在所述第二絕緣層上生成的且與所述第二電氣對接點電氣連接的第二外部電氣連接點。
7.如權利要求6所述的微機電系統器件與集成電路的集成芯片，其特征在于：所述第二外部電氣連接點包括：生長于所述第二絕緣層表面的第二電氣連接層、生長于所述第二電氣連接層表面且與所述第二電氣對接點電氣連接的第二附加導電層。
8.如權利要求7所述的微機電系統器件與集成電路的集成芯片，其特征在于：所述第二附加導電層為由在所述第二電氣連接層上生成的第二球下冶金層及在所述第二球下冶金層上生成的第二焊料層形成的第二焊料球。
9.如權利要求8所述的微機電系統器件與集成電路的集成芯片，其特征在于：所述第二球下冶金層包括生成于所述第二電氣連接層上的第二黏附層、生成于所述第二黏附層上的第二擴散阻擋層、生成于所述第二擴散阻擋層上的第二浸潤層及生成于所述第二浸潤層上的第二氧化阻擋層。
10.如權利要求6所述的微機電系統器件與集成電路的集成芯片，其特征在于：所述第二絕緣層的材料為SiO2或氮化硅。
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