[發明專利]防止鋁焊盤腐蝕的方法以及鋁焊盤的制作工藝無效
| 申請號: | 200910049280.4 | 申請日: | 2009-04-14 |
| 公開(公告)號: | CN101866822A | 公開(公告)日: | 2010-10-20 |
| 發明(設計)人: | 錢洪濤;呂秋玲 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/768;H01L21/3213;B08B3/08 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時云 |
| 地址: | 20120*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 防止 鋁焊盤 腐蝕 方法 以及 制作 工藝 | ||
1.一種防止鋁焊盤腐蝕的方法,包括:
提供鋁焊盤,所述鋁焊盤上殘留有干法刻蝕的刻蝕劑;清洗所述鋁焊盤;對所述的鋁焊盤進行烘烤。
2.根據權利要求1所述的防止鋁焊盤腐蝕的方法,其特征在于,所述烘烤工藝在清洗所述焊盤之后4小時內進行。
3.根據權利要求1所述的防止鋁焊盤腐蝕的方法,其特征在于,所述烘烤工藝的烘烤溫度為100~400攝氏度。
4.根據權利要求1所述的防止鋁焊盤腐蝕的方法,其特征在于,清洗所述鋁焊盤的清洗液含有H2SO4,H2O,HF。
5.根據權利要求1所述的防止鋁焊盤腐蝕的方法,其特征在于,所述烘烤時間為10秒至30分鐘。
6.一種鋁焊盤的制作工藝,包括:
提供半導體襯底,所述半導體襯底的主動表面上具有金屬互連線;
在所述互連線上形成絕緣材料層,并刻蝕絕緣材料層在與金屬互連線對應的位置形成開口;
在所述開口內以及絕緣材料層上形成金屬鋁層;
干法刻蝕金屬鋁層,形成與金屬互連線電連接的鋁焊盤;
清洗所述鋁焊盤;對所述的鋁焊盤進行烘烤。
7.根據權利要求6所述的鋁焊盤的制作工藝,其特征在于,所述烘烤工藝在清洗所述焊盤之后4小時內進行。
8.根據權利要求6所述的鋁焊盤的制作工藝,其特征在于,所述烘烤工藝的烘烤溫度為100~400攝氏度。
9.根據權利要求6所述的鋁焊盤的制作工藝,其特征在于,清洗所述鋁焊盤的清洗液含有H2SO4,H2O,HF。
10.根據權利要求6所述的鋁焊盤的制作工藝,其特征在于,所述烘烤時間為10秒至30分鐘。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





