[發明專利]多晶硅淀積工藝

有效

• 申請號: 200910049075.8
• 申請日: 2009-04-09
• 公開（公告）號: CN101859700A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發明（設計）人: 汪大祥;劉啟星;孔天午;陶有飛;梁薄
• 申請（專利權）人: 上海先進半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;H01L21/3065;B08B5/02
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陸嘉

1.一種多晶硅淀積工藝，其特征在于，用于填充具有高深寬比的孔，所述工藝包括：

數個工藝循環，每一個工藝循環包括：

在具有高深寬比的孔中淀積預定厚度的多晶硅，所述淀積在低溫下進行，且孔口的多晶硅生長速率大于孔底部的多晶硅生長速率；

升高溫度并同入刻蝕氣體，對高深寬比的孔中的多晶硅進行刻蝕，所述刻蝕在高溫下進行，且孔口的多晶硅刻蝕速率大于孔底部的多晶硅刻蝕速率，刻蝕后孔底部的多晶硅厚度大于孔口的多晶硅厚度；

降低溫度至低溫；

重復數次所述工藝循環直至所述具有高深寬比的孔被填滿。

2.如權利要求1所述的多晶硅淀積工藝，其特征在于，在淀積多晶硅的過程中，使用氫氣作為攜帶氣體，硅烷作為硅源氣體。

3.如權利要求1所述的多晶硅淀積工藝，其特征在于，所述刻蝕氣體是氯化氫。

4.如權利要求1所述的多晶硅淀積工藝，其特征在于，所述每一個工藝循環中，降低溫度至低溫后還包括用氫氣吹掃所述孔以除去刻蝕產生的副產物。

5.如權利要求1所述的多晶硅淀積工藝，其特征在于，所述多晶硅淀積工藝應用于外延設備。