[發(fā)明專利]一種孔內(nèi)光刻膠殘余的檢測方法以及相應(yīng)的孔條寬測量方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910049048.0 | 申請日: | 2009-04-09 |
| 公開(公告)號: | CN101546720A | 公開(公告)日: | 2009-09-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 肖慧敏 | 申請(專利權(quán))人: | 上海集成電路研發(fā)中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G01N21/954;G01B11/03;G01B11/26 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 | 代理人: | 鄭 瑋 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 光刻 殘余 檢測 方法 以及 相應(yīng) 孔條寬 測量方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及集成電路制造工藝中的一種檢測方法,且特別涉及一種孔內(nèi)光 刻膠殘余的檢測方法以及相應(yīng)的孔條寬測量方法。
背景技術(shù)
在先進(jìn)的集成電路制造工藝中,孔內(nèi)殘余一直是造成失效的重要因素。孔 內(nèi)殘余包括接觸孔和通孔內(nèi)的殘余,易在光刻和刻蝕的工序中產(chǎn)生,接觸孔是 用于連接前道工序和后道工序的關(guān)鍵孔,而通孔是連接各層金屬的關(guān)鍵層次, 這兩種孔一旦出現(xiàn)殘余,勢必會(huì)對產(chǎn)品的電性參數(shù)、成品率以及可靠性造成致 命的影響。孔內(nèi)殘余物中比較常見的是孔內(nèi)殘余光刻膠,可由各種原因引起, 在刻蝕過程中會(huì)掩蔽刻蝕,導(dǎo)致襯底刻蝕不完全,從而影響前面所提到的產(chǎn)品 的電性參數(shù)、成品率和可靠性。
目前的工藝中計(jì)算孔條寬的步驟為:第一步:確定測量圖形;第二步:對 已確定的測量圖形進(jìn)行掃描,獲得圖形的二次電子信號,根據(jù)二次電子信號對 相對應(yīng)的點(diǎn)進(jìn)行計(jì)算,每相對兩點(diǎn)形成一個(gè)直徑,各點(diǎn)圍成近似圓形;第三步: 將所有直徑進(jìn)行平均,平均值便為孔條寬數(shù)值;第四步:將孔條寬數(shù)據(jù)傳輸至 生產(chǎn)管理系統(tǒng)。在孔條寬計(jì)算完成后,才開始實(shí)行對孔內(nèi)殘余導(dǎo)致孔失效的檢 測,一般通過檢測阻擋層生長后的缺陷來確定,但是由于此時(shí)接觸孔已經(jīng)定型, 即使發(fā)現(xiàn)問題也無法對問題進(jìn)行補(bǔ)救,由此帶來的損失難以避免。
發(fā)明內(nèi)容
為了克服已有技術(shù)中對孔內(nèi)光刻膠殘余檢測滯后的問題,本發(fā)明提供一種 能及時(shí)檢測孔內(nèi)是否存在光刻膠殘余的方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提出一種孔內(nèi)光刻膠殘余的檢測方法,包括以 下步驟:對所述孔的內(nèi)壁進(jìn)行掃描;將掃描信號換算成圍成近似圓形的測量點(diǎn); 測量任意三個(gè)相鄰的所述測量點(diǎn)間形成的朝向所述近似圓形的圓心的夾角的 值;將所述夾角和設(shè)定的角度參考值做比較,若所述夾角小于所述角度參考值, 判斷為正常狀態(tài),若所述夾角大于所述角度參考值,判斷為異常狀態(tài),發(fā)出警 報(bào)。
可選的,所述測量點(diǎn)的數(shù)量為20個(gè)。
可選的,所述掃描信號為二次電子信號。
可選的,所述參考值為180度。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明還提出一種測量孔條寬的方法,包括確定待測 量的孔;將掃描信號換算成圍成近似圓形的測量點(diǎn)的坐標(biāo)值;相對兩點(diǎn)相連作 為所述近似圓的直徑;對所述直徑取平均值;其特征在于測量任意三個(gè)相鄰的 所述測量點(diǎn)間形成的朝向所述近似圓形的圓心的夾角的值;將所述夾角和設(shè)定 的角度參考值做比較,若所述夾角小于所述角度參考值,判斷為正常狀態(tài),并 以所述平均值作為測得的孔條寬;若所述夾角大于所述角度參考值,判斷為異 常狀態(tài),發(fā)出警報(bào)。
可選的,所述測量點(diǎn)的數(shù)量為20個(gè)。
可選的,所述掃描信號為二次電子信號。
可選的,所述參考值為180度。
本發(fā)明所述的一種孔內(nèi)光刻膠殘余的檢測方法以及用該方法測量孔條寬的 有益效果主要表現(xiàn)在:本發(fā)明提出的檢測方法,能夠快速有效的檢測出孔內(nèi)是 否存在光刻膠殘余,能在第一時(shí)間方便相關(guān)人員作出是否需要補(bǔ)救的決定,提 高了產(chǎn)品的良率;本發(fā)明提出的測量孔條寬的方法,將測量和檢測一起進(jìn)行, 提高了測量結(jié)果的準(zhǔn)確度和穩(wěn)定性。
附圖說明
圖1為本發(fā)明一種孔內(nèi)光刻膠殘余的檢測方法的流程圖;
圖2為孔正常情況的示意圖;
圖3為孔異常情況的示意圖;
圖4為孔正常情況下任意相鄰三點(diǎn)所連形成的角度的示意圖;
圖5為孔正常情況下任意相鄰三點(diǎn)所連形成的角度的示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合實(shí)施例和附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。
首先,請參考圖1,圖1為本發(fā)明一種孔內(nèi)光刻膠殘余的檢測方法的流程圖, 從圖1中可以看到,本發(fā)明包括以下步驟:步驟111:對所述孔的內(nèi)壁進(jìn)行掃描; 步驟112:將掃描信號換算成圍成近似圓形的測量點(diǎn);步驟113:測量任意三個(gè) 相鄰的所述測量點(diǎn)間形成的朝向所述近似圓形的圓心的夾角的值;步驟114:將 計(jì)算結(jié)果和設(shè)定的角度參考值比較,所述參考值為180度;步驟115:若大于所 述角度參考值,判斷為異常狀態(tài),發(fā)出警報(bào);步驟116:若小于所述參考值,判 斷為正常狀態(tài)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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