[發(fā)明專利]一種氮摻雜氧化鋅p型稀磁半導(dǎo)體材料的制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910049021.1 | 申請(qǐng)日： | 2009-04-09 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101599363A | 公開(kāi)（公告）日： | 2009-12-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 林文松 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海工程技術(shù)大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01F41/18 | 分類號(hào)： | H01F41/18;H01F10/193;H01F1/40 |
| 代理公司： | 上海東亞專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人： | 段崇雯 |
| 地址： | 200336*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 摻雜 氧化鋅 型稀磁 半導(dǎo)體材料 制備 方法 | ||
1.一種氮摻雜氧化鋅p型稀磁半導(dǎo)體材料的制備方法，包括如下步驟：1)采用反應(yīng)磁控濺射方法在襯底上交替沉積ZnO和Zn3N2薄層，制備ZnO/Zn3N2多層膜，2)將ZnO/Zn3N2多層膜在含有氧氣的氣氛下進(jìn)行退火處理，完成制備氮摻雜氧化鋅p型稀磁半導(dǎo)體材料，其特征在于：
采用純度為99.9％Zn作為靶材，濺射沉積ZnO及Zn3N2時(shí)采用的濺射氣氛分別為純度99.99％的高純Ar和純度99.99％的O2的混合氣體、以及純度為99.99％的高純Ar和N2的混合氣體，襯底為硅、載玻片或石英玻璃，等本底真空達(dá)到1×10-4Pa后，襯底溫度為20～300℃，氣體經(jīng)輸入系統(tǒng)混合均勻后流入濺射系統(tǒng)，在1～2Pa壓強(qiáng)下，濺射功率100～120W，在基片上交替沉積ZnO及Zn3N2各若干層，每層濺射時(shí)間3～10分鐘；將所得到的ZnO/Zn3N2多層膜樣品在300～500℃含氧氣氛中氧化退火0.5～3小時(shí)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮摻雜氧化鋅p型稀磁半導(dǎo)體材料的制備方法，其特征在于：
所述氮摻雜氧化鋅為c軸擇優(yōu)取向的晶態(tài)薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮摻雜氧化鋅p型稀磁半導(dǎo)體材料的制備方法，其特征在于：
氬氣和氧氣或氮?dú)獾姆謮罕葹?9-8)∶(1-2)。?
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