[發(fā)明專利]以聚乳酸為基底的神經芯片的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910049004.8
• 申請日: 2009-04-09
• 公開（公告）號: CN101543660A
• 公開（公告）日: 2009-09-30
• 發(fā)明（設計）人: 李以貴;陳少軍;張冠;孫健;高陽
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: A61N1/36
• 分類號: A61N1/36;A61F2/00;G03F7/16;G03F7/20;G03F7/26;C23C14/34;C23C14/20
• 代理公司: 上海交達專利事務所
• 代理人: 王錫麟;王桂忠

1、一種以聚乳酸為基底的神經芯片的制備方法，其特征在于包括如下步驟：

第一步，在聚乳酸基底上旋涂一層光刻膠；

第二步，對旋涂后的光刻膠進行UV曝光；

第三步，曝光后將器件放入顯影液中，去除未曝光的光刻膠部分；

第四步，對聚乳酸基底ICP-DRIE刻蝕出圓孔；

第五步，在聚乳酸基底圓孔里濺射金；

第六步，將濺射完金的器件去除曝光過的光刻膠，同時光刻膠上的濺射金也被剝離；

第七步，化學機械平坦化，使金與集成電路完好互聯(lián)。

2、根據權利要求1所述的以聚乳酸為基底的神經芯片的制備方法，其特征是，所述第一步，具體為：用厚度為600um聚乳酸基底作為襯底，將光刻膠SU-8膠滴于聚乳酸基底上，用臺式勻膠機500r/min勻膠10s，再3000r/min勻膠30s，得到50um厚的SU-8膠層，在溫度為95℃下加熱已旋涂好的光刻膠10min，加熱過程在電熱板上完成，冷卻至室溫。

3、根據權利要求1所述的以聚乳酸為基底的神經芯片的制備方法，其特征是，所述第二步，具體為：根據設計的微流控芯片，用激光照排機在照相底片上制得光刻掩膜板，將設計好的具有圓孔的掩模版置于UV光源與光刻膠之間，將掩膜板的圖案與聚乳酸基底進行校準，調節(jié)光刻機光能量為7Mw/cm2，通過對光刻膠進行UV曝光60s，掩模版上的圖形轉移到光刻膠上。

4、根據權利要求1所述的以聚乳酸為基底的神經芯片的制備方法，其特征是，所述第三步，具體為：光刻完后，對聚乳酸基底進行沖洗、風干或者甩干，然后在電熱板上以120℃繼續(xù)加熱25min，冷卻至室溫，在乙二醇乙醚乙酸酯溶液中顯影4min，去除未曝光的光刻膠部分。

5、根據權利要求1所述的以聚乳酸為基底的神經芯片的制備方法，其特征是，所述第四步，具體為：用ICP-DRIE對聚乳酸基底進行刻蝕，鏤空，形成圓柱形狀的圓孔，刻蝕的速率為10um/min，刻蝕時間為60min。

6、根據權利要求1所述的以聚乳酸為基底的神經芯片的制備方法，其特征是，所述第五步，具體為：在聚乳酸基底圓孔里濺射金作為與集成電路的互連線，其中光刻膠上也被濺射一層金。

7、根據權利要求1所述的以聚乳酸為基底的神經芯片的制備方法，其特征是，所述第六步，具體為：待冷卻至室溫后，將第五步得到的整個器件放入丙酮溶液中浸泡24h后去除曝光過的光刻膠中，此時去除光刻膠的同時也去除濺射在光刻膠上的金。

8、根據權利要求1所述的以聚乳酸為基底的神經芯片的制備方法，其特征是，所述第六步，具體為：化學機械平坦化濺射的金，將集成電路芯片與金互連線完好連接起來。