[發明專利]一種摻雜光子晶體光纖的載氫增敏方法無效
| 申請號： | 200910048565.6 | 申請日： | 2009-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN101852885A | 公開（公告）日： | 2010-10-06 |
| 發明（設計）人： | 高侃;沙劍波 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第二十三研究所 |
| 主分類號： | G02B6/02 | 分類號： | G02B6/02;G02B6/255 |
| 代理公司： | 上海航天局專利中心 31107 | 代理人： | 徐鈁 |
| 地址： | 200437 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 摻雜 光子 晶體 光纖 載氫增敏 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種摻雜光子晶體光纖的載氫增敏方法，其特征在于：將一根含有摻雜纖芯(2)和周期性空氣孔(3)的光子晶體光纖(1)兩端與含有纖芯(5)的階躍型光纖(4)相熔接；然后將光子晶體光纖(1)連同兩端的階躍型光纖(4)一起放入高壓氫氣環境中進行載氫增敏處理。
2.按照權利要求1所述的一種摻雜光子晶體光纖的載氫增敏方法，其特征在于：其包括以下步驟：
在載氫前先將光子晶體光纖的兩端進行端面切平處理，再利用光纖熔接機將其兩端分別與兩根單模階躍型光纖相熔接；隨后將熔接好的光子晶體光纖放入高壓的高純氫氣環境中進行載氫增敏處理。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國電子科技集團公司第二十三研究所，未經中國電子科技集團公司第二十三研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910048565.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：準直型光纖連接器
- 下一篇：中心打孔的紅外透鏡加工工藝
