[發明專利]一種超級電容器極板材料及其制備方法無效
| 申請號: | 200910047989.0 | 申請日: | 2009-03-20 |
| 公開(公告)號: | CN101510467A | 公開(公告)日: | 2009-08-19 |
| 發明(設計)人: | 王連衛;苗鳳娟;陶佰睿 | 申請(專利權)人: | 華東師范大學 |
| 主分類號: | H01G9/04 | 分類號: | H01G9/04;B81C1/00 |
| 代理公司: | 上海伯瑞杰知識產權代理有限公司 | 代理人: | 傅戈雁 |
| 地址: | 200062*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 超級 電容器 極板 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種超級電容器極板材料的制備方法,其特征是:包括如下步驟:
A.采用電化學法制作硅微通道;
B.以硅微通道為襯底,經表面預處理后,在無電鍍鎳鍍液 中沉積鎳層,形成鎳/硅微通道納米復合結構;
C.對制作的鎳/硅微通道納米復合結構在氧氣氣氛中進行 快速熱退火,退火溫度控制在350℃到550℃之間,退火時間 控制在6到10分鐘,即形成氧化亞鎳/硅微通道復合結構材 料。
2.如權利要求1所述的超級電容器極板材料的制備方法,其特征是:所述步 驟A中的制作硅微通道的電化學法為首先利用光刻定義硅片孔的位置,進 行預腐蝕,當孔呈倒四棱臺結構時停止腐蝕;隨后沿著倒四棱臺頂角向下 進行電化學深刻蝕,在襯底上形成微通道結構;然后進行背面減薄至所刻 蝕位置;再用超聲波分離使中間未刻蝕部分脫落,即獲得拋離于襯底的硅 微通道結構。
3.如權利要求1所述的超級電容器極板材料的制備方法,其特征是:所述步 驟B中的表面預處理指:用1%聚乙二醇辛基苯基醚溶液浸潤30秒。
4.如權利要求1所述的超級電容器極板材料的制備方法,其特征是:所述步 驟B中的無電鍍鎳鍍液的配方為:濃度為0.8~1.4摩爾/升的六水合硫酸 鎳,濃度為8~12毫克/升的十二烷基硫酸鈉,濃度為2.3~2.7摩爾/升的 氟化氨,濃度為0.1~0.3摩爾/升的檸檬酸鈉,再配上氨水調整鍍液的pH 值為7.0~10。
5.如權利要求4所述的超級電容器極板材料的制備方法,其特征是:在所述 鍍液中沉積30到45分鐘。
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