[發明專利]相變隨機存取存儲器及制造方法有效
| 申請號： | 200910047644.5 | 申請日： | 2009-03-16 |
| 公開（公告）號： | CN101840994A | 公開（公告）日： | 2010-09-22 |
| 發明（設計）人： | 三重野文健 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 李麗 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 相變 隨機存取存儲器 制造 方法 | ||
1.一種相變隨機存取存儲器，包括開關器件及連接所述開關器件的數據存儲器，所述數據存儲器包括底部電極、底部電極上的硫族元素化物相變層、硫族元素化物相變層上的頂部電極，所述底部電極、相變層以及頂部電極兩側還具有側墻，其特征在于，
所述側墻材料采用電負性數值小于硫族元素化物的電負性數值，且相應差值大于或等于0.3的元素的氧化物。
2.如權利要求1所述的相變隨機存取存儲器，其特征在于，所述側墻材料采用Y2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、Al2O3中的任意一種。
3.如權利要求1所述的相變隨機存取存儲器，其特征在于，還包括連接所述開關器件和所述數據存儲器的導電插塞。
4.如權利要求3所述的相變隨機存取存儲器，其特征在于，所述導電插塞兩側還具有側墻，所述側墻材料采用電負性數值小于硫族元素化物的電負性數值，且相應差值大于或等于0.3的元素的氧化物。
5.如權利要求4所述的相變隨機存取存儲器，其特征在于，所述側墻材料采用Y2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、Al2O3中的任意一種。
6.一種相變隨機存取存儲器的制造方法，包括：形成開關器件及連接所述開關器件的數據存儲器，所述數據存儲器包括底部電極、底部電極上的硫族元素化物相變層、硫族元素化物相變層上的頂部電極；以及在所述底部電極、頂部電極、相變層兩側形成側墻，其特征在于，所述側墻材料采用電負性數值小于硫族元素化物的電負性數值，且相應差值大于或等于0.3的元素的氧化物。
7.如權利要求6所述的相變隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，所述側墻材料采用Y2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、Al2O3中的任意一種。
8.如權利要求6所述的相變隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，形成連接所述開關器件的數據存儲器包括：形成數據存儲器以及形成連接所述開關器件和所述數據存儲器的導電插塞。
9.如權利要求8所述的相變隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，還包括：在所述導電插塞兩側形成側墻，所述側墻材料采用電負性數值小于硫族元素化物的電負性數值，且相應差值大于或等于0.3的元素的氧化物。
10.如權利要求9所述的相變隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，所述側墻材料采用Y2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、Al2O3中的任意一種。
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