[發明專利]測量接觸孔孔徑的圖像捕獲裝置和圖像捕獲控制方法

有效

• 申請號: 200910047632.2
• 申請日: 2009-03-16
• 公開（公告）號: CN101840875A
• 公開（公告）日: 2010-09-22
• 發明（設計）人: 吳永玉;神兆旭
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/768;G05B19/418;G03F7/20
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 王一斌;王琦

1.一種測量接觸孔孔徑的圖像捕獲裝置，包括掃描電子顯微鏡SEM，其特征在于，該裝置還包括：

第一控制單元，用于在旋涂于晶片的光阻膠上曝光形成所述接觸孔的形狀、以及尺寸大于所述接觸孔的預設基準區域的形狀后，控制所述SEM捕獲所述基準區域的圖像；

第二控制單元，用于按照預先設置的接觸孔形狀相對于基準區域的位置關系，控制所述SEM相對于所述晶圓平移、直至表示接觸孔形狀的圖像進入所述SEM的視野中，以捕獲所述接觸孔形狀的圖像；

參數配置單元，用于存儲所述接觸孔形狀相對于基準區域的位置關系。

2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述接觸孔形狀和所述基準區域均為多個；

該裝置進一步包括：圖像化交互平臺，用于根據預先設置的每個基準區域的坐標、以及每個接觸孔形狀相對于任意基準區域的位置關系，顯示包含所有接觸孔形狀和所有基準區域的圖像化界面；

且，所述參數配置單元進一步用于存儲預先設置的每個基準區域的坐標；

所述第一控制單元進一步根據所述圖像化交互平臺接收到的表示任一接觸孔的第一選擇指令，控制SEM捕獲與該接觸孔形狀對應的基準區域的圖像，或根據所述圖像化交互平臺接收到的表示任一基準區域的第二選擇指令，直接控制SEM捕獲第二選擇指令所表示的基準區域的圖像。

3.根據權利要求1或2所述的裝置，其特征在于，該裝置進一步包括：第三控制單元，用于控制所述SEM針對所述基準區域的圖像進行調焦；

且，所述第二控制單元進一步在所述調焦后，控制所述SEM相對于所述晶圓平移。

4.根據權利要求1或2所述的裝置，其特征在于，所述基準區域是由若干個接觸孔的形狀按照任意方式排列構成的。

5.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述基準區域和接觸孔形狀之間的距離小于10微米。

6.一種測量接觸孔孔徑的圖像捕獲控制方法，其特征在于，在旋涂于晶片的光阻膠上曝光形成所述接觸孔的形狀、以及尺寸大于所述接觸孔的預設基準區域的形狀后，該方法包括以下步驟：

控制掃描電子顯微鏡SEM捕獲所述基準區域的圖像；

按照預先設置的接觸孔形狀相對于基準區域的位置關系，控制所述SEM相對于所述晶圓平移、直至表示接觸孔形狀的圖像進入所述SEM的視野中，以捕獲所述接觸孔形狀的圖像。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述接觸孔形狀和所述基準區域均為多個；

該方法進一步根據預先設置的基準區域的坐標、以及每個接觸孔形狀相對于任意基準區域的位置關系，顯示包含所有接觸孔形狀和所有基準區域的圖像化界面；

且，該方法進一步根據所述圖像化界面接收到的表示任一接觸孔形狀的第一選擇指令，控制SEM捕獲與該接觸孔形狀對應的基準區域的圖像，或根據所述圖像化界面接收到的表示任一基準區域的第二選擇指令，直接控制SEM捕獲第二選擇指令所表示的基準區域的圖像。

8.根據權利要求6或7所述的方法，其特征在于，在控制所述SEM相對于所述晶圓平移之前，該方法進一步控制所述SEM針對所述基準區域的圖像進行調焦。

9.根據權利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述基準區域是由若干個接觸孔的形狀按照任意方式排列構成的。

10.根據權利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述基準區域和接觸孔形狀之間的距離小于10微米。