[發明專利]電子發射元件的制作方法無效
| 申請號： | 200910047393.0 | 申請日： | 2009-03-11 |
| 公開（公告）號： | CN101834104A | 公開（公告）日： | 2010-09-15 |
| 發明（設計）人： | 蔡志豪;陳冠榮;潘扶民;莫啟能;羅國忠;江美昭 | 申請（專利權）人： | 華映視訊(吳江)有限公司;中華映管股份有限公司 |
| 主分類號： | H01J9/02 | 分類號： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 215217 江蘇省吳*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電子 發射 元件 制作方法 | ||
1.一種電子發射元件的制作方法，包括：
提供一基板；
于該基板上形成一第一電極以及一第二電極；
于該基板上形成一導電層，覆蓋該第一電極以及該第二電極；
圖案化該導電層以形成一第一導電層、一第二導電層以及一裂縫，其中該裂縫位于該第一導電層與該第二導電層之間；以及
對該第一導電層以及該第二導電層進行一電漿制程。
2.如權利要求1所述的電子發射元件的制作方法，其中該電漿制程所使用的電漿是選自于氬氣、氫氣、氮氣、氧氣、氨氣、乙烯、乙炔、氟化碳及其組合。
3.如權利要求2所述的電子發射元件的制作方法，其中該電漿制程的制程壓力大于等于100托耳。
4.如權利要求2所述的電子發射元件的制作方法，其中該電漿制程的制程壓力小于等于1托耳。
5.如權利要求1所述的電子發射元件的制作方法，其中該電漿制程的制程溫度介于25℃～800℃的間。
6.如權利要求1所述的電子發射元件的制作方法，其中圖案化該導電層以形成該裂縫的方法包括微影制程、聚焦離子束制程以及氫脆化制程。
7.如權利要求1所述的電子發射元件的制作方法，其中該裂縫的寬度介于5納米～100納米的間。
8.如權利要求1所述的電子發射元件的制作方法，其中該導電層的材質是選自于碳、硅、鍺、鈀、釕、銀、金、鈦、銦、銅、鉻、鐵、鋅、錫、鉭、鎢、銥、鎂、鉿、鉛及其金屬氧化物、金屬硼化物、金屬碳化物、金屬氮化物、金屬錯合氧化物與金屬錯合合金。
9.如權利要求1所述的電子發射元件的制作方法，更包括形成一接著層，且該第一電極與該第二電極形成在該接著層上。
10.如權利要求9所述的電子發射元件的制作方法，其中該接著層的材質是選自于鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭及其組合。
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