[發明專利]壓電晶體元件

有效

• 申請號: 200910047335.8
• 申請日: 2009-03-10
• 公開（公告）號: CN101834268A
• 公開（公告）日: 2010-09-15
• 發明（設計）人: 鄭燕青;孔海寬;涂小牛;陳輝;施爾畏
• 申請（專利權）人: 上海硅酸鹽研究所中試基地;中國科學院上海硅酸鹽研究所
• 主分類號: H01L41/08
• 分類號: H01L41/08;H01L41/18;H01L41/22
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.壓電晶體元件，其特征在于，包括：

壓電晶體材料(1)，電極層(2)，引線(3)；

所述的壓電晶體材料，其化學式為A_3+xB_1+yAl_3+zSi_2+mO_14+n，其中：

-0.2≤x≤0.2，-0.2≤y≤0.2，-0.2≤z≤0.2，-0.2≤m≤0.2，-1.4≤n≤1.4；

A為Ca或Sr或者兩者的組合；

B為Ta、Nb或Sb三種元素中的一種或幾種元素的組合；

所述的壓電晶體材料，選用X切，Y切，Z切，或者其他旋轉切型。

2.按權利要求1所述的壓電晶體元件，其特征在于，A為Ca元素。

3.按權利要求1所述的壓電晶體元件，其特征在于，B為Ta或Nb元素。

4.按權利要求1或2或3所述的壓電晶體元件，其特征在于，所述的壓電晶體材料，為Ca₃TaAl₃Si₂O₁₄晶體或Ca₃NbAl₃Si₂O₁₄晶體。

5.按權利要求1或2或3所述的壓電晶體元件，其特征在于，所述的壓電晶體材料，選用X切和Y切切型。

6.按權利要求1或2或3所述的壓電晶體元件，其特征在于，所述的電極層結合在壓電晶體材料的兩表面上或者在任意一表面上并行排列。

7.按權利要求1或2或3所述的壓電晶體元件，其特征在于，所述的引線結合在電極層上，與電極層構成通路。

8.按權利要求1或2或3所述的壓電晶體元件，其特征在于，所述的電極層包括Pt、Ir或Pd電極層。

9.按權利要求8所述的壓電晶體元件，其特征在于，所述的電極層為Pt電極層。

10.按權利要求1或2或3所述的壓電晶體元件，其特征在于，所述的引線包括Pt、Ir或Pd引線。

11.按權利要求10所述的壓電晶體元件，其特征在于，所述的引線為Pt引線。

12.壓電晶體元件的制備方法，包括壓電晶體材料加工，電極層的制備和引線的制備，其特征在于：

(1)所述的壓電晶體材料加工包括，選用A_3+xB_1+yAl_3+zSi_2+mO_14+n晶體進行定向、切割、研磨、拋光，獲得壓電晶片；

其中：

-0.2≤x≤0.2，-0.2≤y≤0.2，-0.2≤z≤0.2，-0.2≤m≤0.2，-1.4≤n≤1.4；

A為Ca或Sr或者兩者的組合；

B為Ta、Nb或Sb三種元素中的一種或幾種元素的組合。

所述的切割過程選用X切，Y切，Z切，或者其他旋轉切型；

(2)所述的壓電晶體元件的電極層的制備包括，在上述的壓電晶片表面涂覆電極層漿料，使漿料干燥，在800～1200℃燒結；

(3)所述的壓電晶體元件的引線的制備包括，在上述的已經制備了電極層的晶片的電極層上用高溫焊接的方法焊接上引線。

13.按權利要求12所述的壓電晶體元件的制備方法，其特征在于，A為Ca元素。

14.按權利要求12所述的壓電晶體元件，其特征在于，B為Ta或Nb元素。

15.按權利要求12所述的壓電晶體元件的制備方法，其特征在于，所述的切型選用X切和Y切。

16.按權利要求12所述的壓電晶體元件的制備方法，其特征在于，所述的漿料包括Pt、Ir或Pd漿料。

17.按權利要求15所述的壓電晶體元件的制備方法，其特征在于，所述的漿料為Pt漿料，

18.按權利要求12所述的壓電晶體元件的制備方法，其特征在于，所述的電極層涂覆在壓電晶體材料兩表面，或者在任意一面上并行排列。