[發明專利]一種晶體硅太陽能電池雙層膜的制作方法無效
| 申請號: | 200910046334.1 | 申請日: | 2009-02-19 |
| 公開(公告)號: | CN101814548A | 公開(公告)日: | 2010-08-25 |
| 發明(設計)人: | 郭明星;熊勝虎;孔慧;郭群超;何濤;郭愛娟 | 申請(專利權)人: | 上海交大泰陽綠色能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/042;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 上海申匯專利代理有限公司 31001 | 代理人: | 翁若瑩 |
| 地址: | 200240 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶體 太陽能電池 雙層 制作方法 | ||
1.一種晶體硅太陽能電池雙層膜的制作方法,其特征在于,具體步驟為:
第一步:量取摩爾比為1∶5-50∶0.5-10∶0.001-1∶0-0.2的正硅酸四乙酯、無水乙醇、去離子水、36.5vol%濃度的鹽酸和有機添加物,將鹽酸加到去離子水中稀釋,將正硅酸四乙酯和無水乙醇混合,攪拌加熱至20-100℃,分5-10次加入稀釋的鹽酸溶液,待溫度穩定后繼續攪拌60~180分鐘,冷卻,加入有機添加物,攪拌溶解,封閉陳化得到溶膠;
第二步:用常規方法制備晶體硅太陽能電池基片,用等離子增強化學氣相淀積方法在晶體硅太陽能電池基片上形成氮化硅膜,采用第一步制得的溶膠在氮化硅膜上噴涂制備二氧化硅膜,其中噴涂速度為1~50ml/min,噴涂時間為1~30s,噴涂溫度為20~200℃,二氧化硅膜厚度為30~200nm,將得到的二氧化硅膜在200~600℃熱處理1-30分鐘,在二氧化硅膜上印刷正反面電極、背場,烘干,在800-1000℃燒結5-120秒。
2.如權利要求1所述的一種晶體硅太陽能電池雙層膜的制作方法,其特征在于,所述第一步中的有機添加物為硅烷偶聯劑KH-560、十六烷基三甲基溴化銨、N,N-二甲基甲酰胺和聚乙二醇之中的一種以上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





