[發明專利]一種圖像傳感器及其制造方法

無效

• 申請號: 200910045927.6
• 申請日: 2009-01-22
• 公開（公告）號: CN101789436A
• 公開（公告）日: 2010-07-28
• 發明（設計）人: 廖奇泊;金達;周飛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L21/82;H01L21/31
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 鄭立柱

1.一種圖像傳感器，其中，包括：

襯底，其上形成有焊盤區、其他電路區和有源像素區；

主像素區，形成于所述有源像素區中；

鈍化層，其僅存在于所述其他電路區和所述主像素區中。

2.如權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于：所述鈍化層包括第一鈍化層和第二鈍化層，其中，所述第一鈍化層形成于所述其他電路區中，所述第二鈍化層形成于所述主像素區中。

3.如權利要求2所述的圖像傳感器，其特征在于：所述第二鈍化層還形成于所述其他電路區中。

4.如權利要求3所述的圖像傳感器，其特征在于，所述第二鈍化層覆蓋所述第一鈍化層。

5.如權利要求2至4中任一項所述的圖像傳感器，其特征在于，所述第一鈍化層的厚度的取值范圍為

6.如權利要求2至4中任一項所述的圖像傳感器，其特征在于，所述第二鈍化層的厚度的取值范圍為

7.如權利要求2至4中任一項所述的圖像傳感器，其特征在于，所述第一鈍化層包括氮化硅。

8.如權利要求2至4中任一項任一項所述的圖像傳感器，其特征在于，所述第二鈍化層包括氮化硅或氮氧化硅。

9.如權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于：所述圖像傳感器為CMOS圖像傳感器。

10.如權利要求9所述的圖像傳感器，其特征在于：所述CMOS圖像傳感器為彩色CMOS圖像傳感器。

11.一種圖像傳感器的制造方法，其中，包括如下步驟：

A.在襯底上形成焊盤區、其他電路區和有源像素區；

B.在所述有源像素區中形成主像素區；

C.形成鈍化層，所述鈍化層僅存在于所述其他電路區和所述主像素區中。

12.如權利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述步驟C包括如下步驟：

C3.在所述焊盤區、其他電路區和有源像素區中形成第二鈍化層；

C4.去除所述焊盤區中的所述第二鈍化層。

13.如權利要求12所述的制造方法，其特征在于，在所述步驟C中，且在所述步驟C3之前還包括如下步驟：

C1.在所述焊盤區、其他電路區和有源像素區中形成第一鈍化層；

C2.去除所述主像素區中的所述第一鈍化層；

其中，所述步驟C4還包括：

-去除所述焊盤區中的所述第一鈍化層。

14.如權利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述步驟C4還包括如下步驟：

-去除其他電路區中的所述第二鈍化層。

15.如權利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述第一鈍化層的厚度的取值范圍為

16.如權利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述第二鈍化層的厚度的取值范圍為

17.如權利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述第一鈍化層和第二鈍化層的形成采用的是化學氣相淀積。

18.如權利要求17所述的方法，其特征在于，所述化學氣相淀積包括等離子體增強化學氣相沉積。

19.如權利要求14所述的制造方法，其特征在于，所述去除所述主像素區中的所述第一鈍化層、所述去除所述焊盤區中的所述第一鈍化層、去除所述焊盤區中的所述第二鈍化層以及去除其他電路區中的所述第二鈍化層采用的是刻蝕。

20.如權利要求19所述的制造方法，其特征在于，所述刻蝕包括干法刻蝕。

21.如權利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述第一鈍化層包括氮化硅。

22.如權利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述第二鈍化層包括氮化硅或氮氧化硅。

23.如權利要求11所述的圖像傳感器，其特征在于：所述圖像傳感器為CMOS圖像傳感器。

24.如權利要求23所述的圖像傳感器，其特征在于：所述CMOS圖像傳感器為彩色CMOS圖像傳感器。