[發明專利]曝光形成半導體器件當層的方法有效
| 申請號： | 200910045821.6 | 申請日： | 2009-01-23 |
| 公開（公告）號： | CN101788769A | 公開（公告）日： | 2010-07-28 |
| 發明（設計）人： | 肖楠;邢一飛 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 王一斌;王琦 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 曝光 形成 半導體器件 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種曝光形成半導體器件當層的方法，其特征在于，包括：
A、曝光臺對準前層時，曝光臺測量前層對準標記，得到前層晶圓的特征 信息；曝光臺測量前層疊對精準測量標識，得到前層中曝光單元的特征信 息；
B、將所述前層晶圓的特征信息和曝光單元的特征信息，反饋給曝光臺；
C、曝光臺根據反饋的晶圓的特征信息和曝光單元的特征信息進行曝光形 成當層；
所述晶圓的特征信息為對準標記的坐標信息；所述曝光單元的特征信息為 疊對精準測量標識的坐標信息。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在形成當層之后，進一步包括 利用疊對精準測量儀進行當層與前層的疊對精準測量的步驟，如果所述當層與 前層的疊對精準度在允許范圍內，則結束操作；否則返回重新執行步驟A。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述疊對精準測量標識的坐標 位于疊對精準測量標識的中心。
4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述測量前層疊對精準測量標 識的方法為將曝光臺的坐標與疊對精準測量標識的坐標對準。
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