[發明專利]一種曝光方法

無效

• 申請號: 200910045701.6
• 申請日: 2009-01-23
• 公開（公告）號: CN101788768A
• 公開（公告）日: 2010-07-28
• 發明（設計）人: 李承赫
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F9/00;G03F1/14
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種曝光方法，其特征在于，包括，

提供布局圖；

利用布局圖的圖形信息生成第一曝光條件和第二曝光條件；

針對所述第一曝光條件形成第一模型，針對所述第二曝光條件形成第二模型；

對第一模型和第二模型進行曝光實驗，獲得第一曝光劑量和第二曝光劑量；

根據第一模型和第二模型生成與前述布局圖相對應的模型，并根據所述生成的模型和第一曝光劑量生成第三曝光劑量，根據所述生成的模型和第二曝光劑量生成第四曝光劑量；

利用所述與前述布局圖相對應的模型制備得到掩膜版；

對待曝光的晶圓按照第一曝光條件和第三曝光劑量進行曝光；

對所述曝光后的晶圓按第二曝光條件和第四曝光劑量進行曝光。

2.根據權利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述利用布局圖的圖形信息生成第一曝光條件和第二曝光條件包括，對布局圖的圖形進行解析；根據解析獲得的圖形信息進行曝光分析；對所述曝光分析中形成的各種曝光條件組合進行比較，選擇第一曝光條件和第二曝光條件。

3.根據權利要求2所述的曝光方法，其特征在于，所述布局圖的圖形包括多個圖形。

4.根據權利要求2所述的曝光方法，其特征在于，所述圖形信息為所述布局圖中的節距。

5.根據權利要求2所述的曝光方法，其特征在于，所述的曝光分析包括實際曝光或者模擬曝光。

6.根據權利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述針對所述第一曝光條件形成第一模型，針對所述第二曝光條件形成第二模型的過程包括，光學鄰近修正系統接收第一曝光條件，形成第一曝光模型；光學鄰近修正系統接收第二曝光條件，形成第二曝光模型。

7.根據權利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述第三曝光劑量＝n×第一曝光劑量；所述第四曝光劑量＝m×第二曝光劑量。所述n+m＝l。

8.根據權利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述對所述待曝光的晶圓按照第一曝光條件和第一曝光劑量進行曝光包括：

將所述掩膜版定位在掩膜臺上；

將待曝光的晶圓定位在晶圓臺上；

將所述的掩膜版與所述的晶圓對準。

9.根據權利要求8所述的曝光方法，其特征在于，所述將所述掩膜版定位在掩膜臺上包括：探測放置在掩膜臺上的掩膜版位置，并在所述掩膜版的位置相對于預設的掩膜版位置的偏移超出了預設的位置誤差范圍時調整放置在掩膜臺上的掩膜版的位置。

10.根據權利要求8所述的曝光方法，其特征在于，所述將待曝光的晶圓定位在晶圓臺上包括：探測放置在晶圓臺上的晶圓的位置，并在所述晶圓的位置相對于預設的晶圓位置的偏移超出了預設的位置誤差范圍時調整所述晶圓的位置。

11.根據權利要求8所述的曝光方法，其特征在于，所述將所述的掩膜版與所述的晶圓對準包括：根據掩膜版的對準標記和晶圓的對準標記，移動掩膜臺和晶圓臺或者精確地移動掩膜臺或晶圓臺。