[發(fā)明專利]光刻系統(tǒng)及其可變狹縫與掩模臺中心偏差的測量方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910045240.2 | 申請日: | 2009-01-13 |
| 公開(公告)號: | CN101526749A | 公開(公告)日: | 2009-09-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 毛方林 | 申請(專利權(quán))人: | 上海微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20;G03F1/14;G01B11/03 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 | 代理人: | 屈 蘅;李時云 |
| 地址: | 201203上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光刻 系統(tǒng) 及其 可變 狹縫 掩模臺 中心 偏差 測量方法 | ||
1.一種光刻系統(tǒng)可變狹縫與掩模臺中心偏差的測量方法,上述光刻系統(tǒng)包括光源、具有可變狹縫的照明系統(tǒng)、掩模版、支撐并固定上述掩模版的掩模臺、投影物鏡成像系統(tǒng)、晶片以及支撐并固定上述晶片的工作臺,其特征在于,上述偏差測量方法包括下列步驟:
在上述掩模版上設(shè)計識別位置偏差的特征圖形,上述特征圖形具有第一中心;
上述特征圖形透過上述投影物鏡成像系統(tǒng)形成一影像于上述晶片,上述影像具有第二中心;
確定上述第一中心投影在上述晶片上的第一位置;
確定上述第二中心的第二位置;以及
依據(jù)上述第一位置和上述第二位置計算得到上述可變狹縫和上述掩模臺中心偏差。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測量方法,其特征在于,其中上述特征圖形為數(shù)字坐標。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測量方法,其特征在于,其中上述特征圖形為網(wǎng)格。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測量方法,其特征在于,其中上述光源為激光光源。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海微電子裝備有限公司,未經(jīng)上海微電子裝備有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910045240.2/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F7-00 圖紋面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工藝;圖紋面照相制版用的材料,如:含光致抗蝕劑的材料;圖紋面照相制版的專用設(shè)備
G03F7-004 .感光材料
G03F7-12 .網(wǎng)屏印刷模或類似印刷模的制作,例如,鏤花模版的制作
G03F7-14 .珂羅版印刷模的制作
G03F7-16 .涂層處理及其設(shè)備
G03F7-20 .曝光及其設(shè)備





