[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910045143.3
• 申請(qǐng)日: 2009-01-09
• 公開（公告）號(hào): CN101777494A
• 公開（公告）日: 2010-07-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王國(guó)華;吳漢明;張海洋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 宋志強(qiáng);麻海明

1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，包括半導(dǎo)體襯底、沉積于襯底上的柵氧化 層及位于柵氧化層上的多晶硅層，其特征在于，該方法還包括：

以圖案化的光阻膠為掩膜，刻蝕所述多晶硅層；

以所述圖案化的光阻膠及刻蝕的多晶硅層為屏蔽，在所述襯底中進(jìn)行深離 子注入，形成源極和漏極；

將所述圖案化的光阻膠進(jìn)行用于形成柵極的第二次圖案化；

以所述第二次圖案化的光阻膠為掩膜，第二次刻蝕所述多晶硅層形成柵極， 所述柵極兩側(cè)不設(shè)立柵極側(cè)壁層；

以所述柵極為屏蔽，在所述襯底內(nèi)進(jìn)行淺離子注入；

在所述柵極及襯底表面沉積具有應(yīng)力的氮化硅層。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該方法進(jìn)一步包括在所述多晶 硅層上依次沉積接觸氧化硅層及硬掩膜層。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述以圖案化的光阻膠為掩膜， 刻蝕所述多晶硅層時(shí)，依次對(duì)硬掩膜層及接觸氧化硅層進(jìn)行刻蝕。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括在形成柵極之前， 以第二次圖案化的光阻膠為掩膜，依次對(duì)硬掩膜層及接觸氧化層進(jìn)行第二次刻 蝕。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述形成柵極是以第二次刻蝕 的硬掩膜層及接觸氧化層為屏蔽，對(duì)多晶硅層進(jìn)行第二次刻蝕以形成柵極。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述對(duì)多晶硅層進(jìn)行第二次刻 蝕形成柵極之后，進(jìn)一步包括去除硬掩膜層的步驟。

7.如權(quán)利要求1或6所述的方法，其特征在于，在對(duì)所述襯底內(nèi)進(jìn)行淺離 子注入前該方法進(jìn)一步包括在柵極及襯底表面沉積氧化硅襯墊層。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述深離子注入或者在淺離 子注入之后進(jìn)行退火工藝。