[發明專利]含硫醚結構聚酰亞胺覆銅板及其制備方法

無效

• 申請號: 200910040723.3
• 申請日: 2009-07-01
• 公開（公告）號: CN101600296A
• 公開（公告）日: 2009-12-09
• 發明（設計）人: 張藝;牛新星;鄭雪菲;林文璇;麥景璋;張燕珠;肖尚雄;劉四委;池振國;許家瑞
• 申請（專利權）人: 中山大學
• 主分類號: H05K1/03
• 分類號: H05K1/03;H05K3/38;B32B15/08;B32B15/20;C08G73/10
• 代理公司: 廣州新諾專利商標事務所有限公司
• 代理人: 周端儀

1.一種含硫醚結構聚酰亞胺覆銅板，其特征在于：至少包括一層銅箔以及直接覆于銅箔上的含硫醚結構聚酰亞胺層，該含硫醚結構聚酰亞胺層材料的結構通式為：

式中，X和Y的比值為(100～0.01)∶(0～99.99)；

Ar₁為下述結構式基團中的一種或兩種以上：

其中R₁選自下述基團中的一種或兩種以上：

-CO-、-O-、-SO₂-、-CH₂-、-C(CH₃)₂-和-C(CF₃)₂-；

Ar₂為下述結構式基團中的一種或兩種以上：

其中R₂選自下述基團中的一種或兩種以上：

-CO-、-O-、-SO₂-、-CH₂-、-C(CH₃)₂-、-C(CF₃)₂-、-NHCO-。

2.根據權利要求1所述的含硫醚結構聚酰亞胺覆銅板，其特征在于：所述的覆銅板為單層或多層無膠撓性敷銅箔。

3.根據權利要求1或2所述的含硫醚結構聚酰亞胺覆銅板的制備方法，包括以下步驟：①將芳香族四酸二酐單體和二胺單體在溶劑中混合反應，得到聚酰胺酸，其中二胺單體包括一種或一種以上且至少一種為含硫醚結構的二胺單體；②將所獲得聚酰胺酸直接涂覆于銅箔表面，在高溫下通過熱酰亞胺化反應，得到含硫醚結構聚酰亞胺覆銅板。

4.根據權利要求3所述的含硫醚結構聚酰亞胺覆銅板的制備方法，其特征在于：所述的硫醚結構二胺單體為4，4`-二氨基二苯硫醚單體。

5.根據權利要求3所述的含硫醚結構聚酰亞胺覆銅板的制備方法，其特征在于：所述的芳香族四酸二酐單體的結構通式為：

Ar₁為下述結構式基團中的一種或兩種以上：

其中R₁選自下述基團中的一種或兩種以上：

-CO-、-O-、-SO₂-、-CH₂-、-C(CH₃)₂-和-C(CF₃)₂-。

6.根據權利要求3所述的含硫醚結構聚酰亞胺覆銅板的制備方法，其特征在于：所述的二胺單體中除含硫醚結構二胺單體外，還包括以下結構通式的一種或兩種以上二胺單體：

H₂N-Ar₂-NH₂

Ar₂為下述結構式基團中的一種或多種：

其中R₂分別獨立選自下述基團中的一種或多種：

-CO-、-O-、-SO₂-、-CH₂-、-C(CH₃)₂-、-C(CF₃)₂-、-NHCO-。

7.根據權利要求3所述的含硫醚結構聚酰亞胺覆銅板的制備方法，其特征在于：所述的二酐單體總的物質的量與二胺單體的摩爾比為0.995∶1。

8.根據權利要求3所述的含硫醚結構聚酰亞胺覆銅板的制備方法，其特征在于：所述的步驟②中，所獲得聚酰胺酸通過梯度升溫的方式逐步進行熱酰亞胺化反應。

9.根據權利要求7所述的含硫醚結構聚酰亞胺覆銅板的制備方法，其特征在于：所述的梯度升溫條件為：由室溫升溫1～1.4小時至130℃±10℃，保溫0.1～0.2小時；然后升溫0.2～0.4小時至190℃±10℃，保溫0.1～0.2小時；然后升溫0.2～0.4小時至240℃±10℃，保溫0.1～0.2小時，最后升溫0.2～0.4小時至320℃±10℃，保溫0.2～0.4小時。