[發明專利]陶瓷封裝基座及其制備方法

有效

• 申請號: 200910039577.2
• 申請日: 2009-05-19
• 公開（公告）號: CN101556939A
• 公開（公告）日: 2009-10-14
• 發明（設計）人: 吳崇雋;王斌;蘇方寧
• 申請（專利權）人: 珠海粵科京華電子陶瓷有限公司
• 主分類號: H01L23/15
• 分類號: H01L23/15;H01L21/48;H03H9/05;H01L33/00
• 代理公司: 廣州新諾專利商標事務所有限公司
• 代理人: 楊煥軍

1.一種陶瓷封裝基座，包括陶瓷基體，其特征在于：還包括通過印刷或濺射方式形成在陶瓷基體上的金屬環及在陶瓷基體與印刷金屬環之間形成的滲透過渡結合層，所述滲透過渡結合層是在將合金膏料通過漏印或真空濺射方式附著在陶瓷基體表面上時形成的。

2.一種制備權利要求1所述陶瓷封裝基座的方法，其特征在于，包括如下步驟：(1)由鈷、鐵和鎳粉配制形成具有粘度的可伐金屬膏料；(2)制作陶瓷基體；(3)通過漏印或真空濺射方式將合金膏料附著在陶瓷基體表面，形成合金膏料環層及滲透過渡結合層；(4)將合金膏料環層及陶瓷基體在還原氣氛下共燒，共燒時氣氛爐溫度高于1500℃，在陶瓷基體表面形成金屬環。

3.根據權利要求2所述的制備陶瓷封裝基座的方法，其特征在于：步驟(2)中的陶瓷基體指燒結前的坯體或燒結后的陶瓷。

4.根據權利要求2所述的制備陶瓷封裝基座的方法，其特征在于：步驟(3)中所述的漏印的具體包括：用帶微電腦光線定位的印刷機，通過掩膜版漏印合金膏，通過印刷膏料重量控制，并結合厚膜印刷電路的膜厚控制所需金屬環的厚度。

5.根據權利要求2所述的制備陶瓷封裝基座的方法，其特征在于：步驟(4)中，所述還原氣氛采用H₂或氨分解的H₂與N₂混合氣。