[發(fā)明專利]一種晶體硅太陽電池鋁背場二次燒結(jié)工藝無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910039022.8 | 申請日： | 2009-04-27 |
| 公開（公告）號： | CN101540349A | 公開（公告）日： | 2009-09-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 沈輝;王學(xué)孟;張陸成 | 申請（專利權(quán)）人： | 中山大學(xué) |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 廣州知友專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人： | 李海波 |
| 地址： | 510275廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 晶體 太陽電池 鋁背場 二次 燒結(jié) 工藝 | ||
1.一種晶體硅太陽電池鋁背場二次燒結(jié)工藝，其特征在于，利用激光束或微波束在晶體硅太陽電池背面鋁層密集掃描，使掃描區(qū)域內(nèi)的鋁瞬間加熱熔化，并向硅體擴(kuò)散，形成性能優(yōu)異的重?cái)U(kuò)散鋁背場。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽電池鋁背場二次燒結(jié)工藝，其特征在于，所述的激光束采用功率為1～1000W、波長為1100～200nm的脈沖或連續(xù)激光束，在經(jīng)過聚焦后達(dá)到微米至毫米量級直徑的光斑照射到鋁層表面進(jìn)行掃描。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽電池鋁背場二次燒結(jié)工藝，其特征在于，所述的微波束采用功率10～1000W、毫秒及更短的脈沖寬度的微波源，經(jīng)過天線匯聚后在鋁層上進(jìn)行加熱。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽電池鋁背場二次燒結(jié)工藝，其特征在于，根據(jù)晶體硅片、印刷鋁層和激光、微波的性能，選擇合適的掃描圖樣，在太陽電池背面進(jìn)行全面或者局部的燒結(jié)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多晶硅太陽電池絨面制作方法，其特征在于，所述的掃描圖樣設(shè)計(jì)成點(diǎn)陣或線陣。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
