[發(fā)明專利]一種檢測(cè)多層印制電路板層間位置偏移的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910036910.4 | 申請(qǐng)日: | 2009-01-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101697001A | 公開(公告)日: | 2010-04-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 崔賽華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 依利安達(dá)(廣州)電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/02 | 分類號(hào): | G01R31/02 |
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| 地址: | 510000 廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 檢測(cè) 多層 印制 電路板 間位 偏移 方法 | ||
1.一種檢測(cè)多層印制電路板層間位置偏移的方法,其特征在于,包括以下步驟:
A、選取印制電路板中的偶數(shù)或奇數(shù)層,在選取的各層上分別設(shè)置若干個(gè)直徑成等差遞增的圓形對(duì)位標(biāo)記;
B、將各層上所述圓形對(duì)位標(biāo)記蝕刻成基材,將印制電路板中的各層按照?qǐng)A形對(duì)位標(biāo)記疊加并壓合在一起;
C、從印制電路板最外層對(duì)圓形對(duì)位標(biāo)記進(jìn)行鉆孔,鉆孔的孔徑為各圓形對(duì)位標(biāo)記中最小的孔徑;
D、將印制電路板最外層的各個(gè)鉆孔周圍的銅料蝕刻出圓環(huán),使各個(gè)鉆孔之間相互獨(dú)立;
E、采用電阻表測(cè)量?jī)?nèi)層中最小直徑圓形對(duì)位標(biāo)記分別與其他圓形對(duì)位標(biāo)記之間的短路或開路狀況,判斷內(nèi)層的對(duì)位精度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種檢測(cè)多層印制電路板層間位置偏移的方法,其特征在于,所述步驟A中在選取的各層上設(shè)置五個(gè)直徑成等差遞增的圓形對(duì)位標(biāo)記分別為第一、第二、第三、第四、第五圓形對(duì)位標(biāo)記。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種檢測(cè)多層印制電路板層間位置偏移的方法,其特征在于,所述五個(gè)直徑成等差遞增的第一、第二、第三、第四、第五圓形對(duì)位標(biāo)記的直徑的公差為Pmil,直徑分別為12mil、12mil+Pmil、12mil+2Pmil、12mil+3Pmil、12mil+4Pmil,其中P為正整數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種檢測(cè)多層印制電路板層間位置偏移的方法,其特征在于:P為小于6的正整數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種檢測(cè)多層印制電路板層間位置偏移的方法,其特征在于,所述五個(gè)圓形對(duì)位標(biāo)記相鄰圓心之間的距離為50mil。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種檢測(cè)多層印制電路板層間位置偏移的方法,其特征在于,所述步驟E具體為:
E1:選取印制電路板中的一個(gè)內(nèi)層;
E2:使用電阻表的一針在該內(nèi)層上直徑最小的第一圓形對(duì)位標(biāo)記的位置作為第一接觸點(diǎn),另一針依次分別在第二、第三、第四、第五圓形對(duì)位標(biāo)記的鉆孔位置作為第二接觸點(diǎn);
E3:根據(jù)電阻表測(cè)試顯示的短路或開路狀況,判斷該內(nèi)層的對(duì)位精度,當(dāng)電阻表顯示開路時(shí),結(jié)束測(cè)試。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種檢測(cè)多層印制電路板層間位置偏移的方法,其特征在于,所述步驟E3具體包括:
E31:當(dāng)?shù)诙佑|點(diǎn)在第二圓形對(duì)位標(biāo)記位置時(shí),如果電阻表顯示短路則表示該層的對(duì)位精度超過Pmil,跳轉(zhuǎn)到步驟E32,如果電阻表顯示開路則表示該層的對(duì)位精度在Pmil的范圍之內(nèi),并結(jié)束測(cè)試;
E32:當(dāng)?shù)诙佑|點(diǎn)在第三圓形對(duì)位標(biāo)記位置時(shí),如果電阻表顯示短路則表示該層的對(duì)位精度超過2Pmil,跳轉(zhuǎn)到步驟E33,如果電阻表顯示開路則表示該層的對(duì)位精度在2Pmil的范圍之內(nèi),并結(jié)束測(cè)試;
E33:當(dāng)?shù)诙佑|點(diǎn)在第四圓形對(duì)位標(biāo)記位置時(shí),如果電阻表顯示短路則表示該層的對(duì)位精度超過3Pmil,跳轉(zhuǎn)到步驟E34,如果電阻表顯示開路則表示該層的對(duì)位精度在3Pmil的范圍之內(nèi),并結(jié)束測(cè)試;
E34:當(dāng)?shù)诙佑|點(diǎn)在第五圓形對(duì)位標(biāo)記位置時(shí),如果電阻表顯示短路則表示該層的對(duì)位精度超過4Pmil,如果電阻表顯示開路則表示該層的對(duì)位精度在4Pmil的范圍之內(nèi),并結(jié)束測(cè)試。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過端—不過端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
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