[發明專利]一種有機電致發光疊層器件有效
| 申請號: | 200910036387.5 | 申請日: | 2009-09-22 |
| 公開(公告)號: | CN101694849A | 公開(公告)日: | 2010-04-14 |
| 發明(設計)人: | 邱勇;張國輝 | 申請(專利權)人: | 昆山維信諾顯示技術有限公司;清華大學;北京維信諾科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 電致發光 器件 | ||
技術領域
本發明涉及一種有機電致發光器件(Organic?Light?Emitting?Diode,以下簡稱OLED), 尤其是采用了疊層結構實現高電流效率的OLED的結構。
背景技術
OLED以其形體薄、面積大、全固化、柔性化等優點引起了人們的廣泛關注,在顯 示與照明領域有著重要應用。
為了獲得高的電流效率,人們設計了將兩個或兩個以上的發光單元疊加的方式,稱 為疊層OLED。疊層器件主要是通過連接層,將兩個或兩個以上的發光單元連接在一起。 與傳統OLED相比,它擁有較高的發光效率,其發光效率隨著發光單元的個數可以成倍 提高。而且,在相同電流密度下測試時,疊層OLED與傳統OLED的劣化特性是一樣的, 但由于疊層OLED的初始亮度較大,因此換算成同樣初始亮度時,疊層OLED的壽命將 比傳統OLED的壽命長。其連接層成為電荷生成層,該層的性能將直接影響整個器件的 光電性能。
雖然疊層OLED可以極大地提高器件的電流效率及穩定性,但其結構也相應復雜了 很多。如圖2所示,兩個發光層之間通常需要電子注入層EIL、電子傳輸層ETL、空穴 注入層HIL和空穴傳輸層HTL,以便電子和空穴在兩個發光層之間進行良好地傳輸, 在發光層進行充分復合。當疊層OLED的發光單元較多時,這種器件結構的工藝復雜, 不適于工業生產。
發明內容
本發明的目的是提出一種簡化結構的疊層器件。
本發明的目的可以通過以下技術方案實現:
一種有機電致發光疊層器件,包括陽極、陰極以及陽極和陰極之間的至少兩個發光 單元;發光單元包括空穴傳輸層、至少一個發光層,至少一個發光層含有金屬配合物; 發光單元之間有連接層,連接層由電子生成層和空穴生成層組成,不包括電子傳輸層。
金屬配合物的金屬選自Be、Mg、Ca、Sr、SC、Y、CU、Zn、B、Al。金屬配合物 優選為Bepp2、Bebq2、Zn(BTZ)2、Zn(ODZ)2、Be(4-mPP)2、Be(5-mPP)2或Al2(dppy)3。
發光層還含有熒光染料或磷光染料。
發光層還含有TCTA、TAPC、NPB或TPD。
電子生成層含有金屬配合物。金屬配合物的金屬選自Be、Mg、Ca、Sr、SC、Y、 CU、Zn、B、Al,金屬配合物為Bepp2、Bebq2、Zn(ODZ)2或Gaq3。電子生成層還 含有摻雜劑,摻雜劑為堿金屬、堿土金屬或鑭系金屬,優選為Li、K、CS、Mg、Ca, 摻雜劑采用真空蒸鍍KBH4、LiBH4、Li2NH2、Li2NH、KAlH4、Cs2CO3、CaCO3的方法 制備,摻雜劑與金屬配合物的摩爾比例為1∶10~10∶1。
空穴生成層選自WOx、MoOx、FeCl2、HAT、MATADA摻雜F4TCNQ或NPB摻雜 F4TCNQ。
發光單元的發光層至少為兩層,發光單元發出白光。
發光單元發出相同顏色或不同顏色的光,有機電致發光器件發出白光。
空穴傳輸層選自芳胺類或枝聚物族類低分子材料。
陽極與相鄰的發光單元之間還包括空穴注入層。
陰極的材料為金屬銀,厚度為50nm~300nm;也可以為銀和鋁的復合結構,其中銀 的厚度為10nm~50nm,鋁的厚度為100nm~200nm。
本發明的疊層器件的電流效率獲得較大提高,壽命得到延長。通過選用金屬配合物 作為發光層的磷光主體材料或熒光主體材料。該發光層具有良好的電子傳輸特性,且能 級與常見電極搭配合適,因此省略了連接層中的電子傳輸層便可以獲得優良的器件性 能,簡化了器件結構。同時,該配合物可作為電子生成層的主體材料,減小了電子從電 子生成層向發光層注入時的能級差,有利于電子的注入,降低了器件的工作電壓。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





