[發(fā)明專利]絕緣體上硅的深槽隔離結(jié)構(gòu)刻蝕及填充方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910036002.5
• 申請日: 2009-10-15
• 公開（公告）號: CN101692435A
• 公開（公告）日: 2010-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 易揚(yáng)波;李海松;王欽;劉俠
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州博創(chuàng)集成電路設(shè)計(jì)有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200
• 代理人: 樓高潮

1.一種絕緣體上硅的深槽隔離結(jié)構(gòu)刻蝕及填充方法，所述深槽隔離結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體襯底(1)，所述半導(dǎo)體襯底(1)上面設(shè)置有埋氧化層(2)，在所述埋氧化層(2)上設(shè)有N型頂層單晶硅(3)，在所述N型頂層單晶硅(3)表面有保護(hù)氧化層(41)和氮化硅層(42)以及光刻膠(43)，對所述保護(hù)氧化層(41)、氮化硅層(42)和光刻膠(43)光刻后會露出N型頂層單晶硅(3)，其特征在于，所述刻蝕及填充方法包括如下工藝步驟：

(a)刻蝕，在所述N型頂層單晶硅(3)表面進(jìn)行刻蝕，刻蝕過程進(jìn)行到所述絕緣體上硅結(jié)構(gòu)中埋氧層(2)表面；

(b)淀積，淀積一層高摻雜的單晶硅(5)；

(c)刻蝕，在整個硅表面氧化或淀積一層保護(hù)氧化層后，刻蝕出深槽的形貌，刻蝕深度為整個絕緣體上硅硅膜厚度，即達(dá)到絕緣體上硅結(jié)構(gòu)中的埋氧層表面，在深槽側(cè)壁上留下了摻雜的單晶硅層(5)；

(d)濕法氧化，用濕氧法熱生長一層隔離氧化層(6)，氧化過程持續(xù)至氧化層(6)的厚度滿足隔離要求；

(e)淀積，淀積一層多晶硅(7)，使絕緣體上硅的深槽內(nèi)部完全填充。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣體上硅的深槽隔離結(jié)構(gòu)刻蝕及填充方法，其特征在于，所述工藝步驟(a)中刻蝕的槽寬比目標(biāo)槽寬要大。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣體上硅的深槽隔離結(jié)構(gòu)刻蝕及填充方法，其特征在于，所述工藝步驟(b)中淀積高摻雜單晶硅采用的是低壓化學(xué)氣相淀積法(LPCVD)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣體上硅的深槽隔離結(jié)構(gòu)刻蝕及填充方法，其特征在于，所述工藝步驟(b)中對整個槽的淀積要做到槽區(qū)與整個N型頂層單?晶硅(3)高度持平。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣體上硅的深槽隔離結(jié)構(gòu)刻蝕及填充方法，其特征在于所述工藝步驟(c)中采用的是各向異性離子反應(yīng)刻蝕工藝。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣體上硅的深槽隔離結(jié)構(gòu)刻蝕及填充方法，其特征在于所述方法也適用于頂層硅為P型的情況。?