[發明專利]一種硅片的磷吸雜工藝

無效

• 申請號: 200910034600.9
• 申請日: 2009-09-03
• 公開（公告）號: CN101667605A
• 公開（公告）日: 2010-03-10
• 發明（設計）人: 杜正興
• 申請（專利權）人: 無錫尚品太陽能電力科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所
• 代理人: 殷紅梅

1.一種磷吸雜工藝，其特征在于包括如下步驟：

(1)預沉積：將制備好絨面的硅片放入擴散爐里進行擴散，預沉積工序共分六步，每步的時間、溫度及各種氣體的通入量詳細如下：

(a)、第一步擴散：擴散時間為300～400s，爐口溫度為870～880℃，爐中溫度為820～830℃，爐尾溫度為820～830℃，氮氣的通入量為22000～23000ml；

(b)、第二步擴散：擴散時間為120～180s，爐口溫度為880～890℃，爐中溫度為840～850℃，爐尾溫度為860～870℃，氮氣的通入量為22000～23000ml；

(c)、第三步擴散：擴散時間為360～420s，爐口溫度為870～880℃，爐中溫度為850～860℃，爐尾溫度為840～860℃，氮氣的通入量為22000～23000ml；

(d)、第四步擴散：擴散時間為1200～1300s，爐口溫度為890～900℃，爐中溫度為860～880℃，爐尾溫度為870～890℃，氮氣的通入量為25000～26000ml，三氯氧磷的通入量為1900～2100ml；

(e)、第五步擴散：擴散時間為300～420s，爐口溫度為840～860℃，爐中溫度為820～830℃，爐尾溫度為820～830℃，氮氣的通入量為22000～23000ml，氧氣的通入量為3000～4000ml；

(f)、第六步擴散：擴散時間為300～400s，爐口溫度為840～860℃，爐中溫度為820～830℃，爐尾溫度為820～830℃，三氯氧磷的通入量為22000～23000ml，氧氣的通入量為3000～4000ml；

待擴散完成后，將硅片從擴散爐中取出并冷卻至室溫，測量硅片的方塊電阻，控制擴散后硅片的方塊電阻在100Ω～110Ω之間；

(2)去磷硅玻璃層：上述預沉積處理后的硅片表面會形成一層較薄的磷硅玻璃層，將經過預沉積處理后的硅片放入濃度為5％～6％的氫氟酸溶液中浸泡50～60s，去掉硅片表面上的磷硅玻璃層；

(3)再分布：將上述去掉磷硅玻璃層后的硅片再次放入擴散爐中進行高溫氧化和吸雜處理，再分布工序共分4步，每步的時間、溫度及各種氣體的通入量詳細如下：

(a)、第一步擴散：擴散時間為300～400s，爐口溫度為1020～1040℃，爐中溫度為1010～1030℃，爐尾溫度為1010～1030℃，氧氣的通入量為20000～21000ml；

(b)、第二步擴散：擴散時間為1620～1800s，爐口溫度為1000～1100℃，爐中溫度為1000～1100℃，爐尾溫度為1000～1100℃，三氯乙烷的通入量500ml，氧氣的通入量為20000～21000ml；

(c)、第三步擴散：擴散時間為180～360s，爐口溫度為1020～1040℃，爐中溫度為1010～1030℃，爐尾溫度為1010～1030℃，氮氣的通入量為20000～22000ml；

(d)、第四步擴散：擴散時間為300～400s，爐口溫度為1020～1040℃，爐中溫度為1000～1100℃，爐尾溫度為1000～1100℃，氮氣的通入量為20000～22000ml；

待第四步完成后，將硅片從擴散爐中取出并冷卻至室溫后，測量硅片的方塊電阻，控制方塊電阻在70Ω-80Ω之間；

(4)去氧化層：經過再分布處理后的硅片表面上形成一層藍色的氧化膜，將經過再分布處理后的硅片放入濃度為5％～6％的氫氟酸溶液中浸泡300～400s，，去掉硅片表面上的氧化層；

(5)二次擴散：將上述經過清洗后去除掉表面氧化層的硅片放到擴散爐里再次進行擴散處理，二次擴散工序共分七步，每步的時間、溫度及各種氣體的通入量詳細如下：

(a)、第一步擴散：擴散時間為300～400s，爐口溫度為900～910℃，爐中溫度為850～860℃，爐尾溫度為850～870℃，氮氣的通入量為28000～30000ml；

(b)、第二步擴散：擴散時間為360～420s，爐口溫度為910～920℃，爐中溫度為870～880℃，爐尾溫度為880～890℃，氮氣的通入量為28000～30000ml；

(c)、第三步擴散：擴散時間為120～210s，爐口溫度為920～930℃，爐中溫度為890～900℃，爐尾溫度為890～900℃，氮氣的通入量為22000～23000ml，氧氣的通入量為3000～4000ml；

(d)、第四步擴散：擴散時間為460～580s，爐口溫度為930～940℃，爐中溫度為880～890℃，爐尾溫度為890～900℃，氮氣的通入量為22000～23000ml，三氯氧磷的通入量2000～2100ml，氧氣的通入量為3000～4000ml；

(e)、第五步擴散：擴散時間為920～1200s，爐口溫度為930～940℃，爐中溫度為880～890℃，爐尾溫度為890～900℃，氮氣的通入量為22000～23000ml，三氯氧磷的通入量2200～2300ml，氧氣的通入量為3000～4000ml；

(f)、第六步擴散：擴散時間為300～420s，爐口溫度為890～900℃，爐中溫度為850～860℃，爐尾溫度為860～870℃，氮氣的通入量為22000～23000ml，氧氣的通入量為3000～4000ml；

(g)、第七步擴散：擴散時間為300～400s，爐口溫度為900～910℃，爐中溫度為850～860℃，爐尾溫度為860～870℃，氮氣的通入量為22000～23000ml；

二次擴散完畢后，將硅片從擴散爐中取出并冷卻至室溫，測量硅片的方塊電阻，控制二次擴散后硅片的方塊電阻在30Ω-40Ω之間。