[發(fā)明專利]一種大直徑硅晶體生長裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910033726.4 | 申請日： | 2009-06-03 |
| 公開（公告）號： | CN101906660A | 公開（公告）日： | 2010-12-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 馬四海;張笑天 | 申請（專利權(quán)）人： | 蕪湖升陽光電科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/14 | 分類號： | C30B15/14 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 241100 *** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 直徑 晶體生長 裝置 | ||
1.一種大直徑硅晶體生長裝置，包括保溫系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、導(dǎo)流系統(tǒng)及支撐裝置，所述的保溫系統(tǒng)上部設(shè)有保溫蓋板及爐底保溫結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的保溫蓋板采用雙層結(jié)構(gòu)，即互相疊合的上保溫蓋板(1)和下保溫蓋(2)，在所述的上保溫蓋板(1)和下保溫蓋(2)之間的空隙部分，填充石墨碳氈。
2.按照權(quán)利要求1所述的大直徑硅晶體生長裝置，其特征在于：所述的爐底保溫結(jié)包括構(gòu)爐底擋圈(12)及爐底壓片(13)，在所述的構(gòu)爐底擋圈(12)及爐底壓片(13)的下面，設(shè)置石墨碳氈。
3.按照權(quán)利要求1或2所述的大直徑硅晶體生長裝置，其特征在于：所述的導(dǎo)流系統(tǒng)設(shè)氣向?qū)Я餮b置，所述的氣向?qū)Я餮b置采用雙層結(jié)構(gòu)，即外導(dǎo)流筒(4)和內(nèi)導(dǎo)流筒(5)。
4.按照權(quán)利要求3所述的大直徑硅晶體生長裝置，其特征在于：在所述的外導(dǎo)流筒(4)和內(nèi)導(dǎo)流筒(5)之間，填充石墨碳氈。
5.按照權(quán)利要求4所述的大直徑硅晶體生長裝置，其特征在于：所述的外導(dǎo)流筒(4)和內(nèi)導(dǎo)流筒(5)構(gòu)成錐度結(jié)構(gòu)。
6.按照權(quán)利要求4或5所述的大直徑硅晶體生長裝置，其特征在于：所述的外導(dǎo)流筒(4)的錐度大于內(nèi)導(dǎo)流筒(5)的錐度。
7.按照權(quán)利要求1或2或4或5所述的大直徑硅晶體生長裝置，其特征在于：所述的導(dǎo)流系統(tǒng)中，設(shè)排氣套筒(16)，所述的排氣套筒(16)設(shè)在爐筒下部的爐底擋圈(12)位置，將爐內(nèi)腔與真空泵管道連通。
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