[發明專利]P型絕緣體上硅的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管

無效

• 申請號: 200910032751.0
• 申請日: 2009-06-19
• 公開（公告）號: CN101587909A
• 公開（公告）日: 2009-11-25
• 發明（設計）人: 孫偉鋒;賈侃;錢欽松;李海松;陸生禮;時龍興
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司
• 代理人: 陸志斌

1、一種P型絕緣體上硅的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，包括：半導體襯底(9)，在半導體襯底(9)上面設置有埋氧化層(8)，在埋氧化層(8)上設有P型摻雜半導體區(7)，在P型摻雜半導體區(7)上設有N阱(6)和P型漏區(10)，在N阱(6)上設有P型源區(11)和N型接觸區(12)，在N阱(6)的表面設有柵氧化層(3)且柵氧化層(3)自N阱(6)延伸至P型摻雜半導體區(7)，在N阱(6)表面的P型源區(11)、N型接觸區(12)和柵氧化層(3)的以外區域及P型摻雜半導體區(7)表面的P型漏區(10)以外區域設有場氧化層(1)，在柵氧化層(3)的表面設有多晶硅柵(4)且多晶硅柵(4)延伸至場氧化層(1)的表面，在場氧化層(1)、N型接觸區(12)、P型源區(11)、多晶硅柵(4)及P型漏區(10)的表面設有氧化層(5)，在P型源區(11)、N型接觸區(12)、多晶硅柵(4)和P型漏區(10)上分別連接有金屬層(2)，其特征在于在N阱(6)和P型漏區(10)之間的P型摻雜半導體區(7)上設有上槽區(13)，在P型摻雜半導體區(7)和埋氧化層(8)的接觸的地方設有下槽區(14)。

2、根據權利要求1所述的P型絕緣體上硅的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于所述的上槽區(13)和下槽區(14)的位置上下完全對齊。

3、根據權利要求1所述的P型絕緣體上硅的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于所述的上槽區(13)和下槽區(14)中填充的物質為二氧化硅。

4、根據權利要求1所述的P型絕緣體上硅的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于所述的上槽區(13)和下槽區(14)的形狀為矩形或梯形。

5、根據權利要求1所述的P型絕緣體上硅的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于所述的上槽區(13)和下槽區(14)的左端距離柵氧化層(3)的右端大于0.5μm且小于2μm，上槽區(13)和下槽區(14)的右端距離N型漏區(10)的左端大于0.5μm且小于2μm。

6、根據權利要求1所述的P型絕緣體上硅的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于所述的上槽區(13)和下槽區(14)深度介于N型摻雜半導體區(7)總厚度的1/4至1/3。