[發明專利]絕緣體上硅材料的平板顯示器驅動芯片及制備方法

有效

• 申請號: 200910032750.6
• 申請日: 2009-06-19
• 公開（公告）號: CN101587901A
• 公開（公告）日: 2009-11-25
• 發明（設計）人: 孫偉鋒;陳越政;錢欽松;夏曉娟;吳虹;時龍興
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/06;H01L21/84;H01L21/76;H01J17/49
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司
• 代理人: 陸志斌

1.一種顯示器驅動芯片，包括P型襯底(9)，在P型襯底(9)上設有埋 氧層(7)，在埋氧層(7)上設有高壓P型橫向金屬氧化物半導體管(1)、高壓 N型橫向金屬氧化物半導體管(2)、高壓二極管(3)和低壓器件(4)，其特征 在于高壓P型橫向金屬氧化物半導體管(1)與高壓N型橫向金屬氧化物半導體 管(2)相鄰且高壓P型橫向金屬氧化物半導體管(1)的漏端與高壓N型橫向 金屬氧化物半導體管(2)的源端相鄰，高壓二極管(3)位于高壓N型橫向金 屬氧化物半導體管(2)與低壓器件(4)之間，在高壓P型橫向金屬氧化物半導 體管(1)一側設有第一雙槽結構，在高壓P型橫向金屬氧化物半導體管(1)另 一側與高壓N型橫向金屬氧化物半導體管(2)之間設有第二雙槽結構，在高壓 N型橫向金屬氧化物半導體管(2)與高壓二極管(3)之間設有第三雙槽結構， 在高壓二極管(3)與低壓器件(4)之間設有第四雙槽結構，在低壓器件(4) 內部沒有槽結構隔離，在低壓器件(4)另一側設有第五雙槽結構，第一雙槽結 構由平行設置的第一氧化隔離層(91A)和第二氧化隔離層(91B)組成，第二 雙槽結構由平行設置的第一氧化隔離層(92A)和第二氧化隔離層(92B)組成， 第三雙槽結構由平行設置的第一氧化隔離層(93A)和第二氧化隔離層(93B) 組成，第四雙槽結構由平行設置的第一氧化隔離層(94A)和第二氧化隔離層 (94B)組成，第五雙槽結構由平行設置的第一氧化隔離層(95A)和第二氧化 隔離層(95B)組成。

2.根據權利要求1所述的顯示器驅動芯片，其特征在于高壓P型橫向金屬 氧化物半導體管(1)包括N型外延層(81)，在N型外延層(81)內設有P型 漂移區(11)、漏端P型重摻雜阱(17)及N型重摻雜阱(18)，在P型漂移區 (11)上設有源端P型重摻雜阱(13)，在外延層(81)及P型漂移區(11)上 的源端P型重摻雜阱(13)、漏端P型重摻雜阱(17)及N型重摻雜阱(18)以 外的區域設有柵氧化層(12)和場氧化層(5)且柵氧化層(12)位于源端P型 重摻雜阱(13)與漏端P型重摻雜阱(17)之間，在柵氧化層(12)的與漏端P 型重摻雜阱(17)相鄰的鳥嘴下方設有P型阱(16)，在源端P型重摻雜阱(13) 與P型阱(16)之間的柵氧化層(12)上方設有多晶硅柵極(15)，在場氧化層 (5)、柵氧化層(12)、源端P型重摻雜阱(13)、多晶硅柵極(15)、漏端P型 重摻雜阱(17)及N型重摻雜阱(18)的上方設有二氧化硅氧化層(6)，在源 端P型重摻雜阱(13)、多晶硅柵極(15)、漏端P型重摻雜阱(17)及N型重 摻雜阱(18)上分別連接有金屬引線，在二氧化硅氧化層(6)上設有金屬場板 (14)且金屬場板(14)位于與源端P型重摻雜阱(13)相鄰的多晶硅柵極(15) 端部上方，在P型漂移區(11)的下方設有P型重摻雜埋層(10)且P型重摻 雜埋層(10)位于源端P型重摻雜阱(13)的下方，所述P型重摻雜埋層(10) 始于P型漂移區(11)并止于埋氧層(7)。