[發(fā)明專利]一種場氧化隔離制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910032419.4 | 申請日： | 2009-06-13 |
| 公開（公告）號： | CN101924059A | 公開（公告）日： | 2010-12-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 羅澤煌;郭立 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762;H01L21/318 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 214061 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 氧化 隔離 制造 方法 | ||
1.一種場氧化隔離制造方法，其包括如下步驟：提供一硅襯底，在硅襯底上形成一層氧化層，然后在氧化層上形成一層氮化硅層；通過掩模光刻以及腐蝕在預(yù)定區(qū)域?qū)ρ趸瘜蛹暗鑼舆M(jìn)行蝕刻，以形成開口，露出硅襯底；其特征在于：其還包括如下步驟：在開口的硅襯底上形成一層熱氧化層，然后蝕刻掉該熱氧化層，在硅襯底表面形成淺槽；在整個硅片表面生長一層氮化硅膜，蝕刻該氮化硅膜，在淺槽的內(nèi)壁形成氮化硅側(cè)墻；然后在淺槽內(nèi)生長場氧化層。
2.如權(quán)利要求1所述的場氧化隔離制造方法，其特征在于：前述熱氧化層的厚度為場氧化層厚度的三分之一。
3.如權(quán)利要求1所述的場氧化隔離制造方法，其特征在于：前述淺槽的內(nèi)壁兩端形成有鳥嘴狀側(cè)壁，前述氮化硅側(cè)墻形成于淺槽的鳥嘴狀側(cè)壁上。
4.如權(quán)利要求1所述的場氧化隔離制造方法，其特征在于：在前述在整個硅片表面生長一層氮化硅膜的步驟之前還包括在整個硅片表面生長一層消除氮化硅膜和硅表面之間應(yīng)力的氧化層的步驟。
5.一種場氧化隔離制造方法，其包括如下步驟：提供一硅襯底，在硅襯底上形成一層氧化層，然后在氧化層上形成一層氮化硅層；通過掩模光刻以及腐蝕在預(yù)定區(qū)域?qū)ρ趸瘜蛹暗鑼舆M(jìn)行蝕刻，以形成開口，露出硅襯底；在開口的硅襯底上形成一層熱氧化層，然后蝕刻掉該熱氧化層，在硅襯底表面形成淺槽；然后在淺槽內(nèi)生長場氧化層。
6.如權(quán)利要求5所述的場氧化隔離制造方法，其特征在于：前述熱氧化層的厚度為場氧化層厚度的三分之一。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
